[发明专利]一种集成封装半导体器件

说明书

本发明公开了一种集成封装半导体器件，包括：讯号转接基板，讯号转接基板底部表面的周边设置有倒角；封装基板，封装基板的上表面承载讯号转接基板；芯片，讯号转接基板的上表面承载芯片；第一填充胶，第一填充胶填充于封装基板与讯号转接基板之间，其中，讯号转接基板相对于封装基板的热膨胀系数差异大于讯号转接基板相对于芯片的热膨胀系数差异。讯号转接基板底部表面的周边设置倒角，即将容易集中应力的尖锐的直角进行切割或者打磨形成倒角，目的是将应力进行分散，避免由于应力太大导致填充的第一填充胶产生裂痕，提高集成封装半导体器件的良率。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种集成封装半导体器件。

背景技术

SIP(System In a Package)是将多种功能芯片，例如处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能的封装工艺。SIP是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，其封装基板上的走线比较宽，很容易导致布线拥塞，因此，对可实现的芯片类型以及芯片连接数量有很大的限制，由此出现了2.5D封装工艺。

在2.5D或者3D封装中，设置讯号转接基板的目的是通过热膨胀系数匹配的讯号转接基板减低芯片与封装基板之间的接口应力，然而，当热应力较高时，讯号转接基板与封装基板之间的热膨胀系数并不匹配，由此产生的较高的热应力导致从讯号转接基板的底部边缘或角落延伸到封装基板产生裂纹，导致封装基板微量破碎或断裂。

因此，如何缓解热应力沿转接基板的底部边缘或角落的破坏作用，进而避免封装基板微量破碎或断裂的风险，是本领域技术人员急需要解决的技术问题。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例希望提供一种集成封装半导体器件，以至少解决现有技术中存在的技术问题。

本发明实施例的技术方案是这样实现的，根据本发明的一个实施例，提供了一种集成封装半导体器件，包括：

讯号转接基板，所述讯号转接基板底部表面的周边设置有倒角；

封装基板，所述封装基板的上表面承载所述讯号转接基板；

芯片，所述讯号转接基板的上表面承载所述芯片；

第一填充胶，填充于所述封装基板与所述讯号转接基板之间；

其中，所述讯号转接基板相对于所述封装基板的热膨胀系数差异大于所述讯号转接基板相对于所述芯片的热膨胀系数差异。

优选的，在上述集成封装半导体器件中，所述倒角为单平面倒角。

优选的，在上述集成封装半导体器件中，所述倒角为多平面倒角。

优选的，在上述集成封装半导体器件中，所述倒角为圆弧倒角。

优选的，在上述集成封装半导体器件中，所述讯号转接基板包括硅中介层，以及设置于所述硅中介层上表面的上表面金属层和设置于所述硅中介层下表面的下表面金属层，所述上表面金属层表面分布有第一焊盘阵列，所述下表面金属层表面分布有第一凸块阵列。

优选的，在上述集成封装半导体器件中，所述讯号转接基板中贯穿有导电穿孔，所述导电穿孔的一端与对应的所述第一凸块阵列连接，另一端与所述第一焊盘阵列连接。

优选的，在上述集成封装半导体器件中，所述讯号转接基板还包括重布线层，所述重布线层的上表面分布有第二焊盘阵列，所述第二焊盘阵列与对应的所述第一焊盘阵列电连接且具有较小的焊盘间隔。