[发明专利]一种集成封装半导体器件

权利要求书

1.一种集成封装半导体器件，其特征在于，包括：

讯号转接基板，所述讯号转接基板底部表面的周边设置有倒角；

封装基板，所述封装基板的上表面承载所述讯号转接基板；

芯片，所述讯号转接基板的上表面承载所述芯片；

第一填充胶，填充于所述封装基板与所述讯号转接基板之间，所述第一填充胶延伸到所述讯号转接基板的侧面，以包覆所述讯号转接基板的倒角；

在所述讯号转接基板顶部与所述芯片底部之间填充有第二填充胶；

在所述封装基板顶部上形成有模塑封体，以至少密封所述讯号转接基板的侧面和所述芯片的侧面；

其中，所述讯号转接基板相对于所述封装基板的热膨胀系数差异大于所述讯号转接基板相对于所述芯片的热膨胀系数差异；所述第一填充胶、所述第二填充胶和所述模塑封体包括环氧树脂以及分布于所述环氧树脂中的填充颗粒，所述第一填充胶和所述第二填充胶中的填充颗粒的含量为60％～70％，所述模塑封体中的填充颗粒的含量为60％～80％，且所述模塑封体中的填充颗粒的含量大于或等于所述第一填充胶和所述第二填充胶中任一中的填充颗粒。

2.如权利要求1所述的集成封装半导体器件，其特征在于，所述倒角为单平面倒角。

3.如权利要求1所述的集成封装半导体器件，其特征在于，所述倒角为多平面倒角。

4.如权利要求1所述的集成封装半导体器件，其特征在于，所述倒角为圆弧倒角。

5.如权利要求1所述的集成封装半导体器件，其特征在于，所述讯号转接基板包括硅中介层，以及设置于所述硅中介层上表面的上表面金属层和设置于所述硅中介层下表面的下表面金属层，所述上表面金属层表面分布有第一焊盘阵列，所述下表面金属层表面分布有第一凸块阵列。

6.如权利要求5所述的集成封装半导体器件，其特征在于，所述讯号转接基板中贯穿有导电穿孔，所述导电穿孔的一端与对应的所述第一凸块阵列连接，另一端与所述第一焊盘阵列连接。

7.如权利要求5所述的集成封装半导体器件，其特征在于，所述讯号转接基板还包括重布线层，所述重布线层的上表面分布有第二焊盘阵列，所述第二焊盘阵列与对应的所述第一焊盘阵列电连接且具有较小的焊盘间隔。

8.如权利要求6所述的集成封装半导体器件，其特征在于，所述讯号转接基板经所述第一凸块阵列与所述封装基板上表面的承接焊盘阵列连接，所述讯号转接基板经由所述第一焊盘阵列与所述芯片下表面的第二凸块阵列连接。

9.如权利要求1所述的集成封装半导体器件，其特征在于，所述填充颗粒的材质包括二氧化硅或者氧化铝。