[发明专利]一种非挥发存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 201711008864.8 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109712979A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;刘建朋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非挥发存储器 掺杂类型 衬底 半导体 栅极结构 漏极区 反向偏置电压 编程效率 存储功能 轻掺杂区 热载流子 重掺杂区 掺杂区 低功耗 轻掺杂 源极区 隧穿 制作 | ||
1.一种非挥发存储器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极区和漏极区；
所述漏极区包括第一掺杂类型轻掺杂区，以及位于所述第一掺杂类型轻掺杂区内的第一掺杂类型重掺杂区和第二掺杂类型掺杂区。
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一掺杂类型重掺杂区与所述第二掺杂类型掺杂区相邻设置。
3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二掺杂类型掺杂区位于所述第一掺杂类型重掺杂区内。
4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一掺杂类型包括N型掺杂，所述第二掺杂类型包括P型掺杂。
5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述栅极结构包括由下至上依次堆叠的隧穿层、浮栅层、介电层和控制栅极层。
6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述栅极结构的两侧形成有侧墙。
7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二掺杂类型掺杂区的掺杂浓度大于1E14atom/cm2。
8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一掺杂类型重掺杂区掺杂浓度为8E12atom/cm2-1.2E13atom/cm2。
9.一种非挥发存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构；
执行第一离子注入，以在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成第一掺杂类型重掺杂区；
执行第二离子注入，以至少在漏极区的半导体衬底中形成第一掺杂类型轻掺杂区，所述第一掺杂类型轻掺杂区的掺杂浓度低于所述第一掺杂类型重掺杂区的掺杂浓度，所述第一掺杂类型轻掺杂区的掺杂深度大于所述第一掺杂类型重掺杂区的掺杂深度；
在所述栅极结构的两侧形成侧墙；
执行第三离子注入，以在漏极区的所述第一掺杂类型轻掺杂区中形成第二掺杂类型掺杂区。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂类型轻掺杂区与所述第二掺杂类型掺杂区相邻设置。
11.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂类型掺杂区位于所述第一掺杂类型轻掺杂区内。
12.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂类型掺杂包括N型掺杂，所述第二掺杂类型掺杂包括P型掺杂。
13.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第二离子注入采用LDD离子注入。
14.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述栅极结构包括由下至上依次形成的隧穿层、浮栅层、介电层和控制栅极层。
15.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂类型掺杂区的掺杂浓度大于1E14atom/cm2。
16.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂类型重掺杂区掺杂浓度为8E12atom/cm2-1.2E13atom/cm2。
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