[发明专利]半导体工艺设备、涂覆设备及其排出装置有效
申请号: | 201710964140.4 | 申请日: | 2017-10-17 |
公开(公告)号: | CN109671641B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 林津民;王国华;李志洋;陈冠纶 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 设备 及其 排出 装置 | ||
一种半导体工艺设备,包括材料供应源、加工腔室、载台、喷嘴、排出泵以及排出装置。载台位在加工腔室内,用以承载待加工物。喷嘴位在加工腔室内并且设置于待加工物的上方。此外,喷嘴连接材料供应源,用以提供材料到待加工物上。排出泵位在加工腔室外。排出装置设置于载台下方,幷且包括排出管、弯管以及盖板。排出管连接加工腔室底部并且延伸至加工腔室外。弯管位在加工腔室外,并且连接于排出管与排出泵之间,其中弯管的侧壁上具有清洁开口,用以暴露弯管内部。盖板可拆卸地设置于清洁开口。涂覆设备及其排出装置亦被提出。
技术领域
本发明实施例涉及一种半导体工艺设备、涂覆设备及其排出装置。
背景技术
常见的半导体器件工艺包括通过蚀刻技术来形成图案化的膜层。例如,先将光刻胶剂供应到半导体芯片(wafer)上,再对芯片上的光刻胶剂进行曝光以及显影处理,以在芯片上形成图案化光刻胶层。之后,以图案化光刻胶层作为罩幕来对芯片进行蚀刻处理,而在芯片上形成图案化的膜层。
在已知蚀刻技术的工艺中,通常采用旋涂法,藉由涂覆设备(COT)来将光刻胶均匀涂覆在芯片表面。此外,也可能藉由涂覆设备或是类似的设备在芯片上涂覆可能的材料层。已知的涂覆设备藉由真空吸附将芯片固定在例如载台(mounting table)上,使芯片与载台一起旋转,并且藉由芯片上方的喷嘴将溶液滴落到芯片的中心部位,使芯片表面的溶液沿芯片的径向方向向外漫延,以在芯片的整个表面上形成膜层。
此外,载台下方还设有排出(exhaust)装置。一般而言,排出装置需要定期清洁,避免沉淀物累积。然而,由于排出装置位在涂覆设备深处,不易拆卸,因此拆卸动作需耗费大量工时,增加制造成本。另外,若排出装置清洁不彻底,将容易导致工艺缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种半导体工艺设备,包括材料供应源、加工腔室(processingchamber)、载台、喷嘴、排出泵以及排出装置。载台位在加工腔室内,用以承载待加工物。喷嘴位在加工腔室内并且设置于待加工物的上方。此外,喷嘴连接材料供应源,用以提供材料到待加工物上。排出泵位在加工腔室外。排出装置设置于载台下方,并且包括排出管、弯管(trap)以及盖板。排出管连接加工腔室底部并且延伸至加工腔室外。弯管位在加工腔室外,并且连接于排出管与排出泵之间,其中弯管的侧壁上具有清洁开口,用以暴露弯管内部。盖板可拆卸地设置于清洁开口。
本发明实施例提供一种涂覆设备,包括加工腔室、旋转载台、喷嘴以及排出装置。旋转载台位在加工腔室内,用以承载并带动待加工物旋转。喷嘴位在加工腔室内并且设置于待加工物的上方。此外,喷嘴连接材料供应源,用以提供材料到待加工物上。排出装置设置于载台下方,并且包括排出管、弯管以及盖板。排出管连接加工腔室底部并且延伸至加工腔室外。弯管位在加工腔室外,并且连接于排出管与外部的排出泵之间,其中弯管的侧壁上具有清洁开口,用以暴露弯管内部。盖板可拆卸地设置于清洁开口。
本发明实施例提供一种排出装置,配置于半导体工艺设备的加工腔室下方。排出装置包括排出管、弯管以及盖板。排出管连接加工腔室底部并且延伸至加工腔室外。弯管位在加工腔室外,并且连接于排出管与一排出泵之间,其中弯管的侧壁上具有清洁开口,用以暴露弯管内部。盖板可拆卸地设置于清洁开口。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例,并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1为根据本发明的实施例的半导体工艺设备的示意图。
图2绘示半导体工艺设备的整体结构的外观。
图3为半导体工艺设备的局部结构的分解图。
图4为半导体工艺设备的另一局部结构的分解图。
图5为依照本发明的实施例的排出装置的弯管的放大图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造