[发明专利]一种IGBT模块封装结构

说明书

本发明涉及大功率IGBT模块封装技术领域，具体涉及一种IGBT模块封装结构，包括绝缘基板；至少两个IGBT芯片并联支路组，设于所述绝缘基板上；至少两个发射极汇流结构，与所述IGBT芯片并联支路组一一对应地设置于所述绝缘基板上，且多个所述发射极汇流结构之间相互绝缘，每个所述IGBT芯片并联支路组的发射极与其对应的所述发射极汇流结构电气连接；发射极端子母线，设于所述绝缘基板上，与每个所述发射极汇流结构电气连接。本发明提供的IGBT模块封装结构，能够有效抑制关断时刻高频拖尾振荡。

技术领域

本发明涉及大功率IGBT模块封装技术领域，具体涉及一种IGBT模块封装结构。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

然而，由于双极型器件内部关断时，过剩载流子穿过空间电荷区引起的空间电荷效应，使得焊接式IGBT模块在关断拖尾过程中会出现高频振荡现象，该拖尾振荡尤其容易发生在并联回路杂散电感低的模块内部，并且焊接式IGBT模块内部的复杂结构也不利于其内部芯片并联回路杂散电感的调节，在IGBT模块不断受到更高功率要求的挑战，面临进一步扩大并联规模的趋势下，解决此问题意义重大。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中IGBT模块内部杂散电感低、容易发生高频拖尾振荡的缺陷，从而提供一种能够有效抑制关断时刻高频拖尾振荡的IGBT模块封装结构。

本发明采用的技术方案如下：

一种IGBT模块封装结构，包括：绝缘基板；至少两个IGBT芯片并联支路组，设于所述绝缘基板上；至少两个发射极汇流结构，与所述IGBT芯片并联支路组一一对应地设置于所述绝缘基板上，且多个所述发射极汇流结构之间相互绝缘，每个所述IGBT芯片并联支路组的发射极与其对应的所述发射极汇流结构电气连接；发射极端子母线，设于所述绝缘基板上，与每个所述发射极汇流结构电气连接。

所述发射极端子母线包括第一导体支架，适于与外侧电路电气连接的第一外接端子，以及多个第一内接端子，每个所述第一内接端子与其对应的所述发射极汇流结构电气连接，所述第一导体支架包括主干部，以及由所述主干部分支形成的若干分支部，所述第一外接端子连接在所述主干部上，所述第一内接端子对应连接在所述分支部上。

所述第一外接端子至各个所述第一内接端子之间的电流流经路径的长度一致。

每一所述第一内接端子至所述第一外接端子之间的电流流经路径的长度大于所述第一内接端子与所述第一外接端子之间的直线距离。

所述绝缘基板上还设有与所述IGBT芯片并联支路组一一对应设置的多个集电极汇流结构，每个所述IGBT芯片并联支路组的集电极与其对应的所述集电极汇流结构电气连接；所述绝缘基板上还设有集电极端子母线，所述集电极端子母线与每个所述集电极汇流结构电气连接。

所述集电极端子母线包括第二导体支架，适于与外侧电路电气连接的第二外接端子，以及多个第二内接端子，每个所述第二内接端子与其对应的所述集电极汇流结构电气连接,所述第二导体支架包括主干部，以及由所述主干部分支形成的若干分支部，所述第二外接端子连接在所述主干部上，所述第二内接端子对应连接在所述分支部上。

所述第二导体支架与第一导体支架相互绝缘的层叠设置。

所述IGBT模块封装结构设置有两个IGBT芯片并联支路组，对应设置有两个发射极汇流结构和两个集电极汇流结构；两个所述集电极汇流结构间隔设置于所述绝缘基板上，两个所述发射极汇流结构相互间隔地设置于两个所述集电极汇流结构之间。