[发明专利]半导体存储装置

说明书

本发明提供能提高动作稳定性的半导体存储装置。半导体存储装置包括层叠体及构造体。层叠体包括层叠区域。层叠区域包括选择栅极电极、在第1方向上从第1选择栅极电极离开的第2选择栅极电极、设置在第1选择栅极电极与第2选择栅极电极之间并在第1方向上排列的第1电极、设置在第2选择栅极电极与第1电极之间并在第1方向上排列的第2电极、和设置在第1、第2电极之间并在第1方向上排列的多个第3电极。第1电极的间隔大于第3电极的间隔。第2电极的间隔大于第3间隔。构造体包括在第1方向上延伸的半导体主体、设置在半导体主体与层叠区域之间的外侧膜、设置在半导体主体与外侧膜之间的内侧膜、和设置在外侧膜与内侧膜之间的中间膜。

相关申请的交叉引用

本申请基于日本专利申请第2016－180014号(申请日：2016年9月14日)主张优先权，这里引用其全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术

在半导体存储装置中，希望稳定的动作。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够提高动作稳定性的半导体存储装置。

本发明的实施方式的半导体存储装置包括层叠体及第1构造体。上述层叠体包括第1层叠区域。上述第1层叠区域包括第1选择栅极电极、在第1方向上从上述第1选择栅极电极离开的第2选择栅极电极、设置在上述第1选择栅极电极与上述第2选择栅极电极之间并在上述第1方向上排列的多个第1电极、设置在上述第2选择栅极电极与上述多个第1电极之间并在上述第1方向上排列的多个第2电极、和设置在上述多个第1电极与上述多个第2电极之间并在上述第1方向上排列的多个第3电极。在上述多个第1电极的相邻的2个第1电极间的第1间隔大于上述多个第3电极的相邻的2个第3电极间的第3间隔。上述多个第2电极的相邻的2个第2电极间的第2间隔大于上述第3间隔。上述第1构造体包括在上述第1方向上延伸的第1半导体主体、设置在上述第1半导体主体与上述第1层叠区域之间的第1外侧膜、设置在上述第1半导体主体与上述第1外侧膜之间的第1内侧膜、和设置在上述第1外侧膜与上述第1内侧膜之间的第1中间膜。

附图说明

图1是例示有关第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。

图2A及图2B是例示有关第1实施方式的半导体存储装置的动作的示意图。

图3是例示有关实施方式的半导体存储装置的特性的图表。

图4是例示半导体存储装置的特性的图表。

图5是例示有关实施方式的半导体存储装置的示意图。

图6A～图6F是例示有关第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。

图7A及图7B是例示有关第2实施方式的半导体存储装置的动作的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。

图面是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等并不一定与现实相同。即使是表示相同部分的情况，也有根据附图而将相互的尺寸或比率不同地表示的情况。

在本说明书和各图中，对于与已出现过的图中描述的要素同样的要素赋予相同的标号，适当省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1是例示有关第1实施方式的半导体存储装置的示意性剖视图。

如图1所示，半导体存储装置110包括层叠体SB及第1构造体ST1。在该例中，半导体存储装置110包括第2构造体ST2。

层叠体SB包括第1层叠区域SR1。