[发明专利]双轨存储器、存储器宏以及相关的混合供电方法有效

专利信息
申请号: 201710761821.0 申请日: 2017-08-30
公开(公告)号: CN108231098B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 郑基廷;林洋绪 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C7/12;G11C8/08
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 双轨 存储器 以及 相关 混合 供电 方法
【说明书】:

发明的实施例提供了一种可在第一电压和第二电压下工作的双轨存储器。双轨存储器包括:存储器阵列,在第一电压下工作;字线驱动器电路,被配置为将存储器阵列的字线驱动至第一电压;数据路径,被配置为传输输入数据信号或输出数据信号,其中,数据路径包括用于将输入数据信号从第二电压转换至第一电压的第一电平转换器;以及控制电路,被配置为向存储器阵列、字线驱动器电路和数据路径提供控制信号,其中,控制电路包括用于将输入控制信号从第二电压转换至第一电压的第二电平转换器;其中,数据路径和控制电路被配置为在第一电压和第二电压两者下工作。本发明的实施例还提供了一种存储器宏以及一种用于将双轨存储器配置为在第一电压和第二电压下工作的混合供电方法。

技术领域

本发明的实施例总体涉及电子电路领域,更具体地,涉及双轨存储器、存储器宏以及相关的混合供电方法。

背景技术

存储器件经受熟知的泄露功率现象。通常,每当存储器接通电源时,就通过周边存储器阵列和核心存储器阵列中的逻辑器件耗散泄露功率。随着技术不断地将器件尺寸缩小至亚纳米几何尺寸以下,存储器件中的泄露功率耗散增加。该泄露功率正在成为存储器中的总功率耗散的显著因素。

一种降低泄露功率的方式是降低存储器件的电源电压。然而,存储器中的位单元的电压电平需要维持在最小电压规格以用于记忆,而存储器件的周边部分可以在特定的电压以下工作。结果,为了减少泄露功率,发展了双轨存储器电源,其中存储器的周边部分和核心部分利用不同电压下的电源来工作。具有双轨存储器电源的存储器使用电平转换器来使用于一组电路的高电压域(如,VDDM)与用于另一组电路的低电压域(如,VDD)隔离,并且通过电平转换器将信号电压转换为适当的域。

发明内容

根据本发明的一个方面,提供了一种在第一电压和第二电压下工作的双轨存储器,所述双轨存储器包括:存储器阵列,在所述第一电压下工作;字线驱动器电路,被配置为将所述存储器阵列的字线驱动至所述第一电压;数据路径,被配置为传输输入数据信号或输出数据信号,其中,所述数据路径包括用于将所述输入数据信号从所述第二电压转换至所述第一电压的第一电平转换器;以及控制电路,被配置为向所述存储器阵列、所述字线驱动器电路和所述数据路径提供控制信号,其中,所述控制电路包括用于将所述输入控制信号从所述第二电压转换至所述第一电压的第二电平转化器;其中,所述数据路径和所述控制电路被配置为在所述第一电压和所述第二电压两者下工作,并且所述第一电压高于所述第二电压。

根据本发明的另一个方面,提供了一种存储器宏,包括:多个存储器阵列,被配置为在第一电压下工作;读取路径,被配置为在第二电压下工作;写入路径,被配置为在所述第一电压和所述第二电压两者下工作,其中,所述写入路径包括用于将电压域从所述第二电压转换为所述第一电压的第一电平转换器;字线驱动器电路,被配置为将所述存储器阵列的多根字线驱动至所述第一电压;以及控制电路,被配置为向所述存储器阵列、所述读取路径、所述写入路径和所述字线驱动器电路提供控制信号,其中,所述控制电路包括用于将电压域从所述第二电压转换为所述第一电压的第二电平转换器;其中,所述读取路径被配置为在所述第二电压下工作,并且所述写入路径和所述控制电路被配置为在所述第一电压和所述第二电压两者下工作。

根据本发明的又一个方面,提供了一种用于将双轨存储器配置为在第一电压和第二电压下工作的混合供电方法,其中,所述双轨存储器的存储器阵列在所述第一电压下工作,所述方法包括:将所述存储器阵列的字线驱动至所述第一电压;通过将输入数据信号从所述第二电压转换至所述第一电压来传输所述输入数据信号或输出数据信号;以及通过将输入控制信号从所述第二电压转换至所述第一电压来向所述存储器阵列提供控制信号。

附图说明

当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据本发明的示例性实施例示出的用于存储器宏的混合双轨存储器供电方案的概念性框图;

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