[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在部分基底上形成若干相互分立的第一牺牲层；在所述第一牺牲层的侧壁上形成侧墙，相邻第一牺牲层和侧墙之间具有第一开口以及第二开口；在所述第一开口内形成第二牺牲层；形成所述第二牺牲层之后，去除第一牺牲层，形成第三开口；形成第三开口之后，以所述侧墙和第二牺牲层为掩膜，刻蚀部分所述基底，在所述基底内形成沟槽，所述沟槽位于第二开口和第三开口底部。所述方法形成的相邻沟槽之间的距离不相同，以满足半导体器件的不同需求。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在半导体制造领域，光刻胶材料用于将掩膜图形转印到一层或多层的材料层中，例如将掩膜图形转印到金属层、介质层或半导体衬底上。但随着半导体工艺的特征尺寸的不断缩小，利用光刻工艺在材料层中形成小特征尺寸的掩膜图形变得越来越困难。

为了提高半导体器件的集成度，业界已提出了多种双重图形工艺，其中，自对准双重图形(Self-Aligned Double Patterning，SADP)工艺即为其中的一种。

然而，现有技术中自对准双重图形工艺形成互连线的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提高自对准双重图形工艺形成的互连线的性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在部分基底上形成若干相互分立的第一牺牲层；在所述第一牺牲层的侧壁上形成侧墙，相邻第一牺牲层和侧墙之间具有第一开口以及第二开口；在所述第一开口内形成第二牺牲层；形成所述第二牺牲层之后，去除第一牺牲层，形成第三开口；形成第三开口之后，以所述侧墙和第二牺牲层为掩膜，刻蚀部分所述基底，在所述基底内形成沟槽，所述沟槽位于第二开口和第三开口底部。

可选的，所述侧墙的厚度为：5纳米～30纳米。

可选的，所述第一牺牲层的形成步骤包括：在所述基底上形成第一牺牲膜；在所述第一牺牲膜上形成第一图形膜；在所述第一图形膜上形成第一底部抗反射层，所述第一底部抗反射层上具有第一光刻胶，所述第一光刻胶内具有若干第一掩膜开口；以所述第一光刻胶为掩膜，刻蚀所述第一底部抗反射层和第一图形膜，直至暴露出第一牺牲膜，形成第一图形层；以所述第一图形层为掩膜，刻蚀第一牺牲膜，直至暴露出基底，形成所述第一牺牲层。

可选的，部分所述第一掩膜开口沿平行于基底表面方向上的尺寸相同；或者，部分所述第一掩膜开口沿平行于基底表面方向上的尺寸不相同。

可选的，所述第一掩膜开口沿平行于基底表面的方向上的尺寸为：40纳米～500纳米。

可选的，部分所述第一开口沿平行于基底表面方向上的尺寸相同；部分所述第一开口沿平行于基底表面方向上的尺寸不相同。

可选的，所述第一开口沿平行于基底表面方向上的尺寸为：40纳米～500纳米。

可选的，所述第二开口沿平行于基底表面方向上的尺寸为：40纳米～500纳米。

可选的，所述第三开口沿平行于基底表面方向上的尺寸为：40纳米～500纳米。

可选的，所述第二牺牲层的形成步骤包括：在所述基底上、以及第一开口和第二开口内形成第二牺牲膜，所述第二牺牲膜的顶部表面低于或者齐平于第一牺牲层的顶部表面；在所述第一牺牲层和第二牺牲膜上形成第二图形膜；在所述第二图形膜上形成第二底部抗反射层，所述第二底部抗反射层上具有第二光刻胶，所述第二光刻胶位于第一开口上；以所述第二光刻胶为掩膜，刻蚀第二底部抗反射层、第二图形膜和第二牺牲膜，直至暴露出基底，形成第二图形层和位于第二图形层底部的第二牺牲层；形成所述第二图形层和第二牺牲层之后，去除第二图形层，暴露出第二牺牲层的顶部表面。