[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口；

在所述第一开口内形成第一互连部和位于第一互连部上的第三开口；

在所述第三开口内形成第二互连部，所述第二互连部材料的还原性弱于第一互连部材料的还原性；

在所述第一介质层和第二互连部上形成第二介质层；

去除部分第二介质层，在第二介质层内形成第二开口，所述第二开口底部暴露出第二互连部。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一互连部、第三开口和第二互连部的形成步骤包括：在所述第一开口内和第一介质层上形成第一互连部膜，所述第一互连部膜上第一介质层内具有第三开口；在所述第一互连部膜上形成第二互连部膜，部分所述第二互连部膜充满所述第三开口；平坦化所述第二互连部膜和第一互连部膜，直至暴露出第一介质层的顶部表面。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第一互连部膜的形成工艺包括：电镀法；形成所述第一互连部膜之前，还包括：在所述第一开口内和第一介质层上形成第一籽晶层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三开口的深度为：50纳米～150纳米；所述第三开口的底部到第一介质层顶部的距离为：10埃～100埃。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一互连部的材料包括：铜。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二互连部的材料包括：金、银、铂、铂钴合金、钴或者钨。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二互连部的厚度为：10埃～100埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口包括：第一通孔和第一沟槽，所述第一通孔和第一沟槽连通；形成所述第一开口之前，所述形成方法还包括：在所述第一介质层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有第一掩膜开口；在所述第一掩膜开口内和第一掩膜层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内具有第二掩膜开口，所述第二掩膜开口沿平行于基底表面的方向上的尺寸小于第一掩膜开口的尺寸，且所述第二掩膜开口在基底上的投影与第一掩膜开口在基底上的投影至少部分重叠。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一通孔和第一沟槽的形成步骤包括：以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀部分所述第一介质层，在所述第一介质层内形成第一初始通孔；形成所述第一初始通孔之后，去除第二掩膜层；去除第二掩膜层之后，以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀第一初始通孔顶部周围部分第一介质层，在所述第一介质层内形成所述第一沟槽，并刻蚀第一初始通孔底部的第一介质层，在所述第一介质层内形成第一通孔。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二开口包括：第二通孔和第二沟槽，所述第二通孔和第二沟槽连通；形成所述第二开口之前，所述形成方法还包括：在所述第二介质层上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层内具有第三掩膜开口；在所述第三掩膜开口内和第三掩膜层上形成第四掩膜层，所述第四掩膜层内具有第四掩膜开口，所述第四掩膜开口沿平行于基底表面的方向上的尺寸小于第三掩膜开口的尺寸，且所述第四掩膜开口在基底上的投影与第三掩膜开口在基底上的投影至少部分重叠。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二通孔和第二沟槽的形成步骤包括：以所述第四掩膜层为掩膜，刻蚀所述部分所述第二介质层，在所述第二介质层内形成第二初始通孔；形成所述第二初始通孔之后，去除第四掩膜层；去除第四掩膜层之后，以所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀第二初始通孔顶部周围部分第二介质层，在所述第二介质层内形成第二沟槽，并刻蚀第二初始通孔底部的第二介质层，在所述第二介质层内形成第二通孔。