[发明专利]细节距单IC芯片封装件及其制备方法

权利要求书

1.一种细节距单IC芯片封装件，包括塑封体(1)，所述塑封体(1)内设有引线框架载体(2)和多个框架引线内引脚(3)，所述引线框架载体(2)的上表面固接有IC芯片(4)，所述IC芯片(4)的上表面设有多个焊盘(5)，多个所述焊盘(5)呈两排平行布置，形成第一焊盘组和第二焊盘组，每个焊盘(5)通过铜键合线分别对应连接一框架引线内引脚(3)，其特征在于：每一焊盘组中的多个焊盘(5)的上表面间隔设置有铝电镀层(6)，一个焊盘组中设置有铝电镀层(6)的焊盘(5)与另一焊盘组中未设置铝电镀层(6)的焊盘(5)相对应。

2.根据权利要求1所述的细节距单IC芯片封装件，其特征在于：所述铝电镀层(6)的厚度为28μm～32μm，铝电镀层(6)的外形尺寸为35μm×35μm。

3.根据权利要求1所述的细节距单IC芯片封装件，其特征在于：所述焊盘(5)的节距≤43μm，焊盘(5)的外形尺寸为38μm×38μm。

4.根据权利要求1所述的细节距单IC芯片封装件，其特征在于：所述铜键合线包括第一铜键合线(7)和第二铜键合线(8)，所述第一铜键合线(7)的一端通过焊接在铝电镀层(6)上的第一铜键合球(9)与设有铝电镀层(6)的焊盘(5)相连接，第一铜键合线(7)的另一端拱丝拉弧与对应的框架引线内引脚(3)焊接，所述第二铜键合线(8)的一端通过直接焊接在焊盘(5)上的第二铜键合球(10)与未设置铝电镀层(6)的焊盘(5)相连接，第二铜键合线(8)的另一端拱丝拉弧与对应的框架引线内引脚(3)焊接。

5.根据权利要求4所述的细节距单IC芯片封装件，其特征在于：所述第一铜键合球(9)的直径为35μm～38μm，第二铜键合球(10)的直径为34μm～37μm。

6.如权利要求1～5中任一项所述的细节距单IC芯片封装件的制备方法，包括以下步骤：

S1、将掩膜版(11)盖在IC芯片(4)的上表面进行电镀，在第一焊盘组和第二焊盘组的多个焊盘(5)上间隔形成铝电镀层(6)，所述掩膜版(11)上对应所述铝电镀层(6)处开有电镀孔(12)；

S2、将IC芯片(4)的晶圆减薄至290μm～310μm并划片；

S3、取引线框架载体(2)，将步骤S2经减薄划片后的IC芯片(4)固接于引线框架载体(2)上，在惰性气氛下进行烘烤；

S4、将铜线轴固定于压焊台上，穿入铜线，将步骤S3所得固接有IC芯片(4)的引线框架载体(2)预热后送到压焊台上，在每个铝电镀层(6)上堆叠一个第一铜键合球(9)，然后向上拱丝拉弧至与设有铝电镀层(6)的焊盘(5)相对应的框架引线内引脚(3)，并在该框架引线内引脚(3)上打一铜焊点，形成第一铜键合线(7)；

S5、在未设置铝电镀层(6)的焊盘(5)上用铜丝球焊形成第二铜键合球(10)，拱丝拉弧至与该焊盘(5)相对应的框架引线内引脚(3)，并在该框架引线内引脚(3)上打一铜焊点，形成第二铜键合线(8)；

S6、对焊接好第一铜键合线(7)和第二铜键合线(8)的引线框架载体(2)依次进行塑封、后固化、打印和分离，即得细节距单IC芯片封装件。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，惰性气氛具体是指氮气气氛，氮气流量为25mL/min～30mL/min，烘烤的时间为2.5h～3.5h，烘烤温度为140℃～160℃。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，将固接有IC芯片(4)的引线框架载体(2)先预热至200℃～210℃后再送到压焊台上。