[发明专利]芯片扇出封装结构、多芯片集成模块及晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种集成天线的芯片扇出封装结构，其特征在于，包括一载板和至少一包括射频信号接收或/和发送功能的射频芯片，所述载板具有第一表面和与其相对的第二表面，所述载板上具有容置所述射频芯片的第一凹槽，所述射频芯片的焊垫面向上埋入所述第一凹槽中，所述射频芯片底部与所述第一凹槽之间形成有作为集成天线的第一导电层，且所述第一导电层从第一凹槽底部沿侧壁延伸至所述载板第一表面，所述射频芯片及所述载板第一表面上形成有第一金属重布线层，所述第一金属重布线层将所述射频芯片的焊垫与所述载板第一表面上的第一导电层电连接，并将其电性导出。

2.根据权利要求1所述的集成天线的芯片扇出封装结构，其特征在于，所述载板为硅载板，所述第一导电层形成于所述第一凹槽内铺设的一层第一绝缘层上，所述第一绝缘层从第一凹槽底部沿侧壁延伸至所述载板第一表面，所述射频芯片通过第一粘结层贴装到所述第一凹槽底部的第一导电层上。

3.根据权利要求1所述的集成天线的芯片扇出封装结构，其特征在于，所述第一金属重布线层包括第一金属布线、第一绝缘介质层和第一保护层，所述第一绝缘介质层覆盖所述射频芯片、所述载板第一表面及其上的第一导电层上，且所述第一绝缘介质层填充所述射频芯片与所述第一凹槽及所述第一导电层之间的间隙，所述第一绝缘介质层上开设有暴露所述射频芯片的焊垫及所述载板第一表面的第一导电层的第一开口，所述第一金属布线形成于所述第一绝缘介质层上，并电性连接该第一开口内的射频芯片的焊垫及第一导电层，所述第一保护层铺设于所述第一金属布线上，该第一保护层上预留有用于电性连接该第一金属布线的第二开口，该第二开口内形成有第一电性导出点，且有部分第一电性导出点扇出至所述载板的第一表面上。

4.根据权利要求1所述的集成天线的芯片扇出封装结构，其特征在于，所述第一金属重布线层为多层结构，其中某层中制作有接地层。

5.根据权利要求2所述的集成天线的芯片扇出封装结构，其特征在于，所述载板第二表面被减薄露出所述第一凹槽底部的第一绝缘层。

6.一种多芯片集成模块，其特征在于，包括权利要求1所述的集成天线的芯片扇出封装结构，还包括至少一额外集成的实现附加功能的功能芯片，所述载板上形成有容置所述功能芯片的第二凹槽，所述功能芯片的焊垫面向上埋入所述第二凹槽中，所述功能芯片与所述第二凹槽之间形成有作为电磁干扰屏蔽结构的第二导电层，且所述第二导电层从第二凹槽底部沿侧壁延伸至所述载板第一表面，所述功能芯片及所述载板第一表面上形成有第二金属重布线层，所述第二金属重布线层与所述第一金属布线层连接，且所述第二金属重布线层将所述功能芯片的焊垫及所述载板第一表面上的第二导电层的电性导出。

7.根据权利要求6所述的多芯片集成模块，其特征在于，所述载板为硅载板，所述第二导电层形成于所述第二凹槽内铺设的一层第二绝缘层上，该第二绝缘层从第二凹槽底部沿侧壁延伸至所述载板第一表面，所述功能芯片通过第二粘结层贴装到所述第二凹槽底部的第二导电层上。

8.根据权利要求6所述的多芯片集成模块，其特征在于，所述第二金属重布线层包括第二金属布线、第二绝缘介质层和第二保护层，所述第二绝缘介质层覆盖所述功能芯片、所述载板第一表面及其上的第二导电层上，且所述第二绝缘介质层填充所述功能芯片与所述第二凹槽及所述第二导电层之间的间隙，所述第二绝缘介质层上开设有暴露所述功能芯片的焊垫及所述载板第一表面的第二导电层的第三开口，所述第二金属布线形成于所述第二绝缘介质层上，并电性连接所述第一金属布线层、所述第三开口内的功能芯片的焊垫及第二导电层，所述第二保护层铺设于所述第二金属布线上，该第二保护层上预留有用于电性连接该第二金属布线的第四开口，所述第四开口内形成有第二电性导出点，且有部分第二电性导出点扇出至所述载板的第一表面上。

9.根据权利要求6所述的多芯片集成模块，其特征在于，所述第二金属重布线层为多层结构，其中某层中制作有接地层。