[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种SRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，半导体衬底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部、以及覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层，隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区；

形成下拉晶体管，形成下拉晶体管的方法包括：

形成横跨第一鳍部的下拉栅极结构，下拉栅极结构覆盖第一鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面，第一置换区分别位于下拉栅极结构两侧；

在第一鳍部第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的鳍侧墙膜；

在隔离层上形成第一下拉介质层，第一下拉介质层覆盖鳍侧墙膜的侧壁且暴露出第一鳍部第一置换区的顶部表面；

形成第一下拉介质层后，去除第一鳍部的第一置换区、以及第一置换区侧壁的鳍侧墙膜，形成第一槽；

在第一槽中形成第一源漏掺杂层；

形成邻置晶体管，形成邻置晶体管的方法包括：

在第二鳍部中形成第二源漏掺杂层，第二源漏掺杂层与第一源漏掺杂层相邻。

2.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，去除第一鳍部的第一置换区、以及第一置换区侧壁的鳍侧墙膜的步骤包括：去除第一鳍部的第一置换区，形成第一初始槽；去除第一初始槽侧壁的鳍侧墙膜，形成第一槽。

3.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述鳍侧墙膜的材料为SiN、SiCN、SiBN或SiON；所述第一鳍部和第二鳍部的材料为单晶硅或单晶锗硅；所述第一下拉介质层的材料为氧化硅或低K介质材料。

4.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，形成所述第一源漏掺杂层的工艺包括外延生长工艺。

5.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述鳍侧墙膜的厚度为第一置换区宽度的15％～30％，第一置换区的宽度为第一置换区在垂直于第一鳍部延伸方向且平行于半导体衬底表面方向上的尺寸。

6.根据权利要求5所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述第一置换区的宽度为5nm～15nm；相邻第一鳍部和第二鳍部之间的距离为5nm～45nm；所述鳍侧墙膜的厚度为3nm～10nm。

7.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，形成下拉晶体管的方法还包括：在第一源漏掺杂层和第一下拉介质层上形成第二下拉介质层；形成贯穿第二下拉介质层的下拉凹槽，下拉凹槽暴露出第一源漏掺杂层的顶部表面；在下拉凹槽中形成下拉插塞。

8.根据权利要求1所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述邻置晶体管包括上拉晶体管。

9.根据权利要求8所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述下拉晶体管的类型为N型；所述上拉晶体管的类型为P型。

10.根据权利要求9所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂层的材料包括掺杂有第一源漏离子的硅，第一源漏离子的导电类型为N型。

11.根据权利要求8所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括下拉区和上拉区，第一鳍部位于半导体衬底下拉区上，第二鳍部位于半导体衬底上拉区上；所述隔离层位于半导体衬底下拉区和上拉区上，隔离层还覆盖第二鳍部的部分侧壁；第一下拉介质层位于下拉区隔离层上；在形成第一下拉介质层之前，所述鳍侧墙膜还位于第一置换区的顶部表面、下拉区和上拉区的隔离层表面、以及第二鳍部表面；形成下拉晶体管的方法还包括：在形成第一下拉介质层的过程中去除第一置换区顶部的鳍侧墙膜，暴露出第一置换区顶部表面。