[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，在所述衬底上的间隔开的第一鳍片和第二鳍片，在所述第一鳍片和所述第二鳍片周围的沟槽，部分地填充所述沟槽的沟槽绝缘物层，以及覆盖在所述第一鳍片、所述第二鳍片和所述沟槽绝缘物层上的隔离覆盖层；

在所述半导体结构上沉积第一层间电介质层，其中，所述第一层间电介质层形成在所述隔离覆盖层上；

对所述第一层间电介质层进行部分地第一刻蚀以露出所述第一鳍片的顶部；

在露出所述第一鳍片的顶部之后，去除所述第一鳍片的一部分以形成第一凹槽；

在所述第一凹槽中外延生长第一电极，其中，所述第一电极为第一源极或第一漏极；

对所述第一层间电介质层进行部分地第二刻蚀以露出所述第二鳍片的顶部；

在露出所述第二鳍片的顶部之后，去除所述第二鳍片的一部分以形成第二凹槽，其中所述第二凹槽与所述第一凹槽隔离开；以及

在所述第二凹槽中外延生长第二电极，其中，所述第二电极为第二源极或第二漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在外延生长所述第一电极之前，所述方法还包括：对所述第一凹槽进行扩大处理；

在所述第一凹槽中外延生长第一电极的步骤包括：在被扩大处理后的第一凹槽中外延生长第一电极；

在外延生长所述第二电极之前，所述方法还包括：对所述第二凹槽进行扩大处理；其中，该被扩大处理后的第二凹槽与所述第一电极隔离开；

在所述第二凹槽中外延生长第二电极的步骤包括：在被扩大处理后的第二凹槽中外延生长第二电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

对所述第一层间电介质层进行部分地第一刻蚀以露出所述第一鳍片的顶部的步骤包括：以所述隔离覆盖层作为刻蚀停止层，对所述第一层间电介质层进行部分地第一刻蚀以露出在所述第一鳍片的顶部上的所述隔离覆盖层的一部分；以及去除被露出的在所述第一鳍片的顶部上的所述隔离覆盖层的所述部分以露出所述第一鳍片的顶部；

去除所述第一鳍片的一部分以形成第一凹槽的步骤包括：去除所述第一鳍片的一部分和在所述第一鳍片的该被去除部分的侧壁上的所述隔离覆盖层的部分以形成第一凹槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在对所述第一层间电介质层进行部分地第二刻蚀之前，所述方法还包括：在外延生长所述第一电极之后的半导体结构上沉积盖层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

对所述第一层间电介质层进行部分地第二刻蚀以露出所述第二鳍片的顶部的步骤包括：以所述隔离覆盖层作为刻蚀停止层，对所述第一层间电介质层和所述盖层进行部分地第二刻蚀以露出在所述第二鳍片的顶部上的所述隔离覆盖层的一部分；以及去除被露出的在所述第二鳍片的顶部上的所述隔离覆盖层的所述部分以露出所述第二鳍片的顶部；

去除所述第二鳍片的一部分以形成第二凹槽的步骤包括：去除所述第二鳍片的一部分和在所述第二鳍片的该被去除部分的侧壁上的所述隔离覆盖层的部分以形成第二凹槽。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一鳍片包括：在所述衬底上的第一半导体鳍片和在所述第一半导体鳍片的表面上的第一绝缘物层；

所述第二鳍片包括：在所述衬底上的第二半导体鳍片和在所述第二半导体鳍片的表面上的第二绝缘物层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在外延生长所述第二电极之后的半导体结构上形成第二层间电介质层；

对形成所述第二层间电介质层之后的半导体结构执行退火处理；以及

对执行所述退火处理之后的半导体结构执行平坦化处理。