[发明专利]一种氧化物半导体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710570025.9 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107393810B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;黄永安;黄奕夫;张伟卓;刘竞尧 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 王世芳;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将半导体胶体量子点溶液置于静电纺丝平台中，静电纺丝平台包括喷嘴和基板，在喷嘴与基板间施加直流高压以形成电场，电场使溶液分散雾化，雾化液在置于基板的绝缘衬底上均匀成膜，获得量子点薄膜；
(2)用短链配体溶液处理量子点薄膜，以置换掉量子点薄膜表面的长链油酸，所述短链配体溶液为醋酸铜、硝酸铜或氯化锡溶液；
(3)去除残余的短链配体及其副产物；
(4)在设定温度范围和设定的时间范围内对雾化液所成的膜执行退火处理，获得氧化物半导体薄膜，具体的，在200℃-500℃下退火2-8小时，获得具有设定厚度的氧化物胶体量子点薄膜。
2.权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化物胶体量子点溶液为氧化铟胶体量子点溶液、氧化锡胶体量子点溶液或二者的混合溶液。
3.权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述绝缘衬底为纸、塑料、陶瓷、硅片或玻璃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
