[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

基底，所述基底中具有凹槽；以及

刻蚀停止层，位于所述基底中，环绕包覆所述凹槽的底面及部分侧壁，其中凹槽的侧壁暴露出部分的基底，以及被凹槽暴露的基底侧壁与被凹槽暴露的刻蚀停止层侧壁为垂直对齐，所述刻蚀停止层包括第一掺杂层，且所述第一掺杂层的移除速率小于所述基底的移除速率。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述刻蚀停止层为多层结构，还包括第二掺杂层，位于所述第一掺杂层中，其中所述第二掺杂层的移除速率小于所述第一掺杂层的移除速率。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述第二掺杂层与所述第一掺杂层包含相同的杂质，且所述第二掺杂层的杂质的浓度高于所述第一掺杂层的杂质的浓度。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述第二掺杂层与所述第一掺杂层包含不同的杂质。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体元件，其中所述刻蚀停止层的杂质包括硼原子、氮原子、碳原子或其组合。

6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括：三维存储器，配置于所述凹槽中。

7.一种半导体元件，包括：

基底，所述基底中具有凹槽；以及

掺杂结构，位于所述基底中，且位于所述凹槽的两侧，至少覆盖所述凹槽的部分侧壁，其中凹槽的侧壁暴露出部分的基底，以及被凹槽暴露出的基底侧壁与被凹槽暴露的掺杂结构侧壁为垂直对齐，其中所述掺杂结构的移除速率大于所述基底的移除速率。

8.如权利要求1至4，7中任一项所述的半导体元件，还包括：三维存储器，配置于所述凹槽中。

9.一种半导体元件的制造方法，包括：

提供基底；

形成刻蚀控制层于所述基底中，其中所述刻蚀控制层与所述基底的移除速率不同；以及

进行移除工艺，以形成凹槽于所述基底中，且所述凹槽的至少部分侧壁被所述刻蚀控制层包围，

其中，所述刻蚀控制层包括第一掺杂层，所述第一掺杂层的移除速率小于所述基底的移除速率，所述移除工艺以所述刻蚀控制层为刻蚀停止层，所述移除工艺停止于刻蚀停止层中；或者，

所述刻蚀控制层包括掺杂结构，所述掺杂结构的移除速率大于所述基底的移除速率，所述移除工艺以所述基底为刻蚀停止层，所述移除工艺停止于刻蚀停止层下方的基底中。