[发明专利]制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备

说明书

一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。

本申请要求在2016年7月4日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2016-0084321，及2017年3月3日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2017-0027647的优先权，其发明概念以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明概念涉及一种制造半导体装置的方法。更确切地说，本发明概念涉及一种在具有高纵横比的开口中制造半导体装置的薄膜的方法。

背景技术

随着半导体装置变得高度一体化及微型化，越来越需要用于增加动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)装置的电容(capacitance)的技术。为了增加有限面积中的电容，可以使用各种方法，如使用高k介电材料作为介电层，减小介电层的厚度及增加下部电极的有效面积。

为了增加下部电极的有效面积，可以整体地形成下部电极，并且可以增加下部电极的高度。也就是说，可以形成圆柱形、叠层型或凹型下部电极。在这些情况下，下部电极可以在全部三个维度具有相当大的尺寸并且具有纵横比(高宽比)相对较高的内部。然而，难以在内部具有高纵横比的三维(three-dimensional，3D)下部电极上形成具有均一厚度的薄膜。

发明内容

根据本发明概念的一个方面，提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供衬底，及利用以下工序在所述衬底上形成薄膜，所述工序包含将抑制气体馈送至所述衬底上，馈送源气体，馈送反应气体及馈送包括惰性气体的吹扫气体，并且其中所述抑制气体抑制所述源气体被所述衬底物理吸附。

根据本发明概念的另一方面，提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包括在衬底上形成具有三维(3D)圆柱形结构的下部电极层，在所述下部电极层上保形地形成介电层，及在所述介电层上保形地形成上部电极层，并且其中所述形成上部电极层包括将含卤素的抑制气体馈送于所述衬底上，馈送含钛的源气体，馈送含氮的反应气体及馈送含惰性气体的吹扫气体。

根据本发明概念的另一方面，提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包括将其中界定具有一定纵横比的开口的结构支撑于处理腔室中，及在所述结构上，包含在所述开口内形成膜的膜形成工序。所述结构具有上表面并且所述开口在所述结构中从上表面延伸，使得所述结构的内部底表面界定所述开口的底部并且所述结构的内部侧表面界定所述开口的侧面。所述膜形成工序在所述结构上，包含在所述结构的顶表面上及内部底表面上保形地形成膜，并且包括将源气体馈送至处理腔室中，并且其中所述源气体是膜的前驱物并且所述源气体中至少一部分在所述结构的顶表面及内部底表面处被所述结构吸附；将反应气体馈送至处理腔室中，并且其中所述反应气体是膜的前驱物并与源气体发生化学反应；及将抑制气体馈送至处理腔室中，并且其中所述抑制气体不是膜的前驱物，不与源气体反应，并且所述抑制气体中至少一部分被所述结构的顶表面和内部底表面吸附；以及将惰性气体馈送至处理腔室中以吹扫所述腔室的在所述处理腔室中的气体的至少一部分，并且其中所述馈送惰性气体是在膜形成工序中在源气体已馈送到处理腔室中之后的一个或多个点进行。

根据本发明概念的另一方面，提供一种半导体装置制造设备，所述半导体装置制造设备包括：腔室；安置于所述腔室中并在上面安放有衬底的衬底支撑件；将源气体供应至所述腔室中的源气体供应器；将反应气体供应至所述腔室中的反应气体供应器；将抑制气体供应至所述腔室中的抑制气体供应器，所述抑制气体抑制源气体物理吸附至衬底上；及将第一吹扫气体供应至所述腔室中的第一吹扫气体供应器。

附图说明

结合附图，从以下详细说明将对本发明概念的这些及其它特征和方面显而易见。