[发明专利]制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供衬底；以及

利用以下工序在所述衬底上形成薄膜，所述工序包括：

将抑制气体馈送至所述衬底上；

馈送源气体；

馈送反应气体；以及

馈送包括惰性气体的吹扫气体，

其中所述抑制气体抑制所述源气体被所述衬底物理吸附，

所述源气体包括钛类化合物，

所述反应气体包括氮化物类化合物，

所述抑制气体包括烷基卤化物、烯基卤化物、炔基卤化物、烯烃及炔烃中的至少一种，

所述烷基卤化物、所述烯基卤化物、所述炔基卤化物、所述烯烃及所述炔烃各自包含含有1至10个碳原子的烃基，

所述烷基卤化物、所述烯基卤化物及所述炔基卤化物各自进一步包含1至10个卤素原子。

2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述抑制气体不包括氧及氮，以及不与所述源气体反应。

3.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述馈送所述抑制气体包括在所述馈送所述源气体之前或之后，馈送所述抑制气体。

4.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述馈送所述抑制气体包括在所述馈送所述反应气体之后，馈送所述抑制气体。

5.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述吹扫气体包括第一吹扫气体、第二吹扫气体以及第三吹扫气体，以及

所述馈送所述吹扫气体包括在所述馈送所述抑制气体之后馈送所述第一吹扫气体，在所述馈送所述源气体之后馈送所述第二吹扫气体，以及在所述馈送所述反应气体之后馈送所述第三吹扫气体。

6.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述抑制气体是与所述源气体一起馈送的。

7.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述抑制气体是与所述反应气体一起馈送的。

8.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

将半导体装置的中间结构支撑于处理腔室中，所述中间结构具有上表面以及在其中从所述上表面延伸由此具有一定纵横比的开口，其中所述中间结构包含界定所述开口的底部的内部底表面以及界定所述开口的侧面的内部侧表面；以及

在所述中间结构上，包含在所述中间结构的所述上表面上及所述内部底表面上保形地形成具有基本上均一的厚度的膜的膜形成工序，

所述膜形成工序包括：

将源气体馈送至所述处理腔室中，所述源气体是所述膜的前驱物以及所述源气体的至少一部分在所述中间结构的所述上表面及所述内部底表面处被所述中间结构吸附，

将反应气体馈送至所述处理腔室中，所述反应气体是所述膜的前驱物及与所述源气体发生化学反应，以及

将抑制气体馈送至所述处理腔室中，所述抑制气体不是所述膜的前驱物，不与所述源气体反应，以及所述抑制气体的至少一部分被所述中间结构的所述上表面及所述内部底表面吸附，以及

将惰性气体馈送至所述处理腔室中以吹扫所述处理腔室的在所述处理腔室中的气体的至少一部分，其中所述惰性气体的所述馈送是在所述膜形成工序中在所述源气体已经馈送至所述处理腔室之后的一个或多个点进行，

其中所述源气体包括钛类化合物，

所述反应气体包括氮化物类化合物，

所述抑制气体包括烷基卤化物、烯基卤化物、炔基卤化物、烯烃及炔烃中的至少一种，

所述烷基卤化物、所述烯基卤化物、所述炔基卤化物、所述烯烃及所述炔烃各自包含含有1至10个碳原子的烃基，

所述烷基卤化物、所述烯基卤化物及所述炔基卤化物各自进一步包含1至10个卤素原子。

9.如权利要求8所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述膜形成工序包括在所述中间结构已装载到所述处理腔室中之后及在任何所述源气体、任何所述反应气体及任何所述惰性气体被馈送至所述处理腔室中之前，将所述抑制气体馈送至所述处理腔室中的循环。