[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，在第1导电型半导体层的第1主面上具备并列pn层，该并列pn层沿与所述第1导电型半导体层的表面平行的方向交替地反复配置有第1导电型半导体区域和第2导电型半导体区域，

所述半导体装置具备仅在所述第2导电型半导体区域导入第18族元素而成的第1区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1区域在从所述第1导电型半导体层的所述第1主面朝向第2主面的深度方向上以预定的第1间隔配置有多个。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1区域设置在所述第2导电型半导体区域的内部。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，具备第2区域，该第2区域通过在所述第1导电型半导体区域导入第18族元素而成，

所述第2区域在所述深度方向上以预定的第2间隔配置有多个。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第2区域设置在所述第1导电型半导体区域的内部。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第2间隔大于所述第1间隔。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第2间隔大于所述第1间隔。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第2间隔等于所述第1间隔。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第2间隔等于所述第1间隔。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，1个以上的所述第1区域沿与所述第1导电型半导体层的表面平行的方向延伸，并且到达所述第2导电型半导体区域与所述第1导电型半导体区域的边界。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，1个以上的所述第1区域沿与所述第1导电型半导体层的表面平行的方向，以从所述第2导电型半导体区域遍及到所述第1导电型半导体区域的方式延伸。

12.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，仅配置在所述第2导电型半导体区域的内部的所述第1区域与沿与所述第1导电型半导体层的表面平行的方向以从所述第1导电型半导体区域遍及到所述第2导电型半导体区域的方式延伸的所述第2区域在深度方向上交替地反复配置。

13.根据权利要求1～12中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备设置在所述第1导电型半导体层与所述第1导电型半导体区域之间的第1导电型低浓度半导体层，该第1导电型低浓度半导体层的杂质浓度比所述第1导电型半导体区域的杂质浓度低。

14.根据权利要求1～12中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，第18族元素是氩。