[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201710456417.2 | 申请日: | 2014-08-18 |
公开(公告)号: | CN107256877B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 吴世熙;金每恞;李剡劤;梁明学;尹馀镇 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
在此公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括多个发光单元和使发光单元彼此连接的互连件,其中,互连件中的至少一个包括公共地电连接到两个发光单元的公共阴极;每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层;所述两个发光单元共用第一导电型半导体层;透明电极层连续地设置在所述两个发光单元之间,并且公共阴极通过透明电极层电连接到所述两个发光单元。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,更具体地讲,涉及一种包括在单个基底上通过互连件彼此连接的多个发光单元的发光二极管。
背景技术
氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)已经用在包括全彩色LED显示器、LED交通信号灯板、白色LED等的广泛的应用产品中。近年来,具有比现有荧光灯的发光效率更高的发光效率的白色发光二极管在普通照明领域有望超越现有荧光灯。
发光二极管可以在大约2V至大约4V的低正向电压下并且需要供应直流电流的情况下被驱动以发射光。因此,当发光二极管直接连接到交流(AC)电源时,发光二极管根据电流的方向而重复开/关操作,所以不能持续地发射光,并且可能易于被反向电流损坏。
为了解决发光二极管的这样的问题,Sakai等人的WO 2004/023568(A1)(名称为“LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTINGELEMENTS”)公开了一种可以通过直接连接到高压AC电源而被使用的发光二极管。
WO 2004/023568(A1)的AC发光二极管包括通过空气桥互连件彼此连接以被AC电源驱动的多个发光元件。这样的空气桥互连件会容易被外力损坏并且会因外力变形而引起短路。
为了解决空气桥互连件的这样的缺点,例如,在韩国专利第10-069023号和第10-1186684号中公开了AC发光二极管。
图1是包括多个发光单元的典型的发光二极管的示意性平面图,图2和图3是沿着图1的线A-A截取的剖视图。
参照图1和图2,发光二极管包括基底21、包括S1、S2的多个发光单元26、透明电极层31、绝缘层33和互连件35。另外,发光单元26中的每个包括下半导体层25、活性层27和上半导体层29,并且缓冲层23可以设置在基底21和发光单元26之间。
发光单元26通过使生长在基底21上的下半导体层25、活性层27和上半导体层29图案化来形成,透明电极层31形成在发光单元S1、S2中的每个上。在每个发光单元26中,下半导体层25的上表面通过部分地去除活性层27和上半导体层29而被部分地暴露,以连接到互连件35。
接着,绝缘层33形成为覆盖发光单元26。绝缘层33包括覆盖发光单元26的侧表面的侧绝缘层33a和覆盖透明电极层31的绝缘保护层33b。绝缘层33形成有通过其暴露透明电极层31的一部分的开口和通过其暴露下半导体层25的开口。然后,互连件35形成在绝缘层33上,其中,互连件35的第一互连部分35p通过绝缘层33的开口连接到一个发光单元S1的透明电极层31,互连件35的第二互连部分35n通过绝缘层33的另一开口连接到与所述一个发光单元S1相邻的另一发光单元S2的下半导体层25。第二互连部分35n连接到下半导体层25的通过部分地去除活性层27和上半导体层29而暴露的上表面。
在传统技术中,互连件35形成在绝缘层33上,因此可以防止由于外力引起变形。另外,由于互连件35通过侧绝缘层33a与发光单元26分开,所以能够防止因互连件35导致发光单元26短路。
然而,在发光单元26的区域中的电流扩散方面,这样的传统发光二极管可能具有局限性。具体地讲,电流可能聚集在互连件35的连接到透明电极层31的一端下面,而并非均匀地在发光单元26的区域中扩散。电流拥挤可能随着电流密度增大而变得严重。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的