[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201710456417.2 | 申请日: | 2014-08-18 |
公开(公告)号: | CN107256877B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 吴世熙;金每恞;李剡劤;梁明学;尹馀镇 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/62 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,所述发光二极管包括:
第一发光单元和第二发光单元,在基底上彼此分开,第一发光单元包括与第二发光单元相对的侧表面;
第一透明电极层,电连接到第一发光单元;
互连件,使第一发光单元电连接到第二发光单元;以及
第一绝缘层,
其中,第一透明电极层设置在第一发光单元的上表面上以电连接到第一发光单元,同时至少部分地覆盖第一发光单元的所述侧表面,
第一绝缘层使第一透明电极层与第一发光单元的所述侧表面分开,其中,第一绝缘层包括构造为邻近于第二发光单元暴露第一发光单元的下半导体层的开口,
其中,所述开口设置在第一发光单元的被覆盖的所述侧表面与第一发光单元的下半导体层的端部之间,
其中,互连件通过所述开口直接连接到所述下半导体层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,所述发光二极管还包括:
第二绝缘层,在第一发光单元的上表面上设置在互连件和第一发光单元之间以阻挡电流。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其中,第二绝缘层由与第一绝缘层的材料相同的材料形成。
4.根据权利要求2所述的发光二极管,其中,第二绝缘层设置在第一透明电极层下面,互连件连接到第一透明电极层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管,其中,第一透明电极层覆盖第一发光单元的至少三个侧表面。
6.根据权利要求5所述的发光二极管,其中,第一透明电极层的一部分部分地覆盖第二发光单元的侧表面。
7.根据权利要求1所述的发光二极管,其中,第一发光单元和第二发光单元中的每个包括下半导体层、上半导体层以及设置在下半导体层和上半导体层之间的活性层;
第一透明电极层电连接到上半导体层;以及
互连件在其一端处电连接到第一透明电极层,并且在其另一端处电连接到第二发光单元的下半导体层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管,其中,互连件直接连接到第一透明电极层而不包括设置在它们之间的整个叠置区域上的绝缘材料。
9.根据权利要求8所述的发光二极管,所述发光二极管还包括:
第二绝缘层,设置在第一发光单元的上半导体层上,
其中,第二绝缘层设置在第一透明电极层和互连件所连接的区域下方。
10.根据权利要求7所述的发光二极管,其中,第一发光单元和第二发光单元具有相同的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的