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[发明专利]LED芯片封装件及其制造方法-CN202080035650.3在审
发明人：张锺敏;金彰渊;梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种发光封装件包括：第一LED子单元，具有背对的第一表面和第二表面；第二LED子单元，设置在第一LED子单元的第二表面上；第三LED子单元，设置在第二LED子单元上；多个连接电极，具有侧表面并电连接到LED子单元中的至少一者，连接电极覆盖LED子单元中的至少一者的侧表面；第一钝化层，至少围绕连接电极的侧表面，第一钝化层暴露第一LED子单元的第一表面的至少部分；基底，具有背对的第一表面和第二表面，基底的第一表面面对LED子单元；以及第一电极，设置在基底的第一表面上且连接到所述至少一个连接电极中的至少一个。
led 芯片封装及其制造方法

[发明专利]LED芯片及其制造方法-CN202080035660.7在审
发明人：张锺敏;金彰渊;梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种发光芯片包括：第一LED子单元；第二LED子单元，设置在第一LED子单元上；第三LED子单元，设置在第二LED子单元上；第一结合层，置于第一LED子单元与第二LED子单元之间；第二结合层，置于第二LED子单元与第三LED子单元之间；以及第一连接电极，与第一LED子单元、第二LED子单元和第三LED子单元中的至少一个电连接并叠置，第一连接电极具有背对的第一侧表面和第二侧表面，第一侧表面具有第一长度并且第二侧表面具有第二长度，其中，第一连接电极的第一侧表面和第二侧表面之间的长度差比LED子单元中的至少一个的厚度大。
led 芯片及其制造方法

[发明专利]发光芯片-CN202080035773.7在审
发明人：张锺敏;金彰渊;梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种发光芯片包括：第一LED子单元；第二LED子单元，设置在第一LED子单元上；第三LED子单元，设置在第二LED子单元上；钝化层，设置在第三LED子单元上；以及第一连接电极，电连接到第一LED子单元、第二LED子单元和第三LED子单元中的至少一个，其中，第一连接电极和第三LED子单元形成限定在第三LED子单元的上表面与第一连接电极的内表面之间的小于约80°的第一角度。
发光芯片

[发明专利]发光元件封装件以及包括该发光元件封装件的显示装置-CN202080009398.9在审
发明人： 梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：发光元件封装件包括：底座基板，具有前面和背面，并且设置有从所述前面凹陷的第一凹陷部；多个外侧电极，设置于所述前面上；发光元件，设置于所述第一凹陷部，并且朝所述前面所朝向的方向射出光；以及多个连接电极，分别连接所述发光元件和所述外侧电极。所述发光元件包括：基板；发光结构体，设置于所述基板上；以及多个凸块电极，设置于所述基板上，其中，所述凸块电极的上面和所述外侧电极的上面设置于实质上相同的平面上，所述连接电极分别设置于所述凸块电极和所述外侧电极中的彼此相邻的凸块电极和外侧电极上。
发光元件封装以及包括显示装置

[发明专利]发光元件-CN201980052127.9在审
发明人：张锺敏;金彰渊;梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件。发光元件包括：第一发光部，包括第一n型半导体层和第一台面结构物，所述第一台面结构物使第一n型半导体层的一面的一部分暴露且包含竖直层叠的第一活性层、第一p型半导体层及第一透明电极；第二发光部，布置于暴露的第一n型半导体层上，并且包括第二n型半导体层、第二活性层、第二p型半导体层及第二透明电极；以及第一粘结部，将第一n型半导体层与第二n型半导体层之间粘结并电连接。
发光元件

[发明专利]发光二极管-CN201710456417.2有效
发明人：吴世熙;金每恞;李剡劤;梁明学;尹馀镇 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：在此公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括多个发光单元和使发光单元彼此连接的互连件，其中，互连件中的至少一个包括公共地电连接到两个发光单元的公共阴极；每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；所述两个发光单元共用第一导电型半导体层；透明电极层连续地设置在所述两个发光单元之间，并且公共阴极通过透明电极层电连接到所述两个发光单元。
发光二极管

[实用新型]发光封装件-CN202020794218.X有效
发明人：张钟敏;金彰渊;梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提供了一种发光封装件。所述发光封装件包括：第一LED子单元，具有背对的第一表面和第二表面；第二LED子单元，设置在第一LED子单元的第二表面上；第三LED子单元，设置在第二LED子单元上；多个连接电极，具有侧表面并电连接到LED子单元中的至少一者，连接电极覆盖LED子单元中的至少一者的侧表面；第一钝化层，至少围绕连接电极的侧表面，第一钝化层暴露第一LED子单元的第一表面的至少部分；基底，具有背对的第一表面和第二表面，基底的第一表面面对LED子单元；以及第一电极，设置在基底的第一表面上且连接到所述至少一个连接电极中的至少一个。根据本实用新型的发光封装件能够在各种转移工艺期间保护发光堆叠结构。
发光封装

[实用新型]发光芯片-CN202020747926.8有效
发明人：张锺敏;金彰渊;梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提供了一种发光芯片，所述发光芯片包括：第一LED子单元；第二LED子单元，设置在第一LED子单元上；第三LED子单元，设置在第二LED子单元上；钝化层，设置在第三LED子单元上；以及第一连接电极，电连接到第一LED子单元、第二LED子单元和第三LED子单元中的至少一个，其中，第一连接电极和第三LED子单元形成限定在第三LED子单元的上表面与第一连接电极的内表面之间的小于约80°的第一角度。根据本实用新型的发光芯片能够在各种转移工艺期间保护发光堆叠结构。
发光芯片

[实用新型]发光芯片和发光封装件-CN202020747872.5有效
发明人：张锺敏;金彰渊;梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：提供了一种发光芯片和发光封装件，所述LED发光芯片包括：第一LED子单元；第二LED子单元，设置在第一LED子单元上；第三LED子单元，设置在第二LED子单元上；第一结合层，置于第一LED子单元与第二LED子单元之间；第二结合层，置于第二LED子单元与第三LED子单元之间；以及第一连接电极，与第一LED子单元、第二LED子单元和第三LED子单元中的至少一个电连接并叠置，第一连接电极具有背对的第一侧表面和第二侧表面，第一侧表面具有第一长度并且第二侧表面具有第二长度，其中，第一连接电极的第一侧表面和第二侧表面之间的长度差比LED子单元中的至少一个的厚度大。根据本实用新型的发光芯片和发光封装件，能够在各种转移工艺期间保护发光堆叠结构。
发光芯片封装

[实用新型]发光元件封装件以及包括该发光元件封装件的显示装置-CN202020076362.X有效
发明人： 梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光元件封装件以及包括该发光元件封装件的显示装置。发光元件封装件包括：底座基板，具有前面和背面，并且设置有从所述前面凹陷的第一凹陷部；多个外侧电极，设置于所述前面上；发光元件，设置于所述第一凹陷部，并且朝所述前面所朝向的方向射出光；以及多个连接电极，分别连接所述发光元件和所述外侧电极。所述发光元件包括：基板；发光结构体，设置于所述基板上；以及多个凸块电极，设置于所述基板上，其中，所述凸块电极的上面和所述外侧电极的上面设置于实质上相同的平面上，所述连接电极分别设置于所述凸块电极和所述外侧电极中的彼此相邻的凸块电极和外侧电极上。
发光元件封装以及包括显示装置

[发明专利]发光二极管-CN201911311605.1在审
发明人：李剡劤;申赞燮;梁明学;李珍雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：一种发光二极管，其包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和位于第一导电型半导体层上的台面，台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层，位于第二导电型半导体层上；下绝缘层，覆盖ZnO层和台面，并具有使ZnO层暴露的开口部和沿着台面边缘使第一导电型半导体层暴露的多个开口部；第一焊盘金属层，布置于下绝缘层上，并通过多个开口部电接通于第一导电型半导体层；第一凸起焊盘，布置于下绝缘层上，并通过下绝缘层的开口部电接通于第一导电型半导体层；以及第二凸起焊盘，布置于下绝缘层上，与第一凸起焊盘在水平方向上隔开，并通过下绝缘层的开口部电接通于ZnO层，下绝缘层的开口部之下的ZnO层的厚度比被下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201911312888.1在审
发明人：李剡劤;申赞燮;梁明学;李珍雄 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：一种发光二极管，其包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和台面，台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层；下绝缘层，覆盖ZnO层和台面，并具有使第一导电型半导体层暴露的开口部和使ZnO层暴露的开口部；第一焊盘金属层，与第一导电型半导体层电接通；第一凸起焊盘，布置于下绝缘层上，并通过下绝缘层的开口部电接通于第一导电型半导体层；以及第二凸起焊盘，布置于下绝缘层上，与第一凸起焊盘在水平方向上隔开，并通过下绝缘层的开口部电接通于ZnO层，下绝缘层的开口部之下的ZnO层的厚度比被下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄，第一凸起焊盘包括从第二凸起焊盘凸出的区域，第二凸起焊盘包括凹陷的区域，并且形成为包围第一焊盘金属层。
发光二极管

[发明专利]发光元件和发光元件的制造方法-CN202010235914.1在审
发明人：李珍雄;申赞燮;李锦珠;李剡劤;梁明学;雅克布·J·理查德森;埃文·C·奥哈拉 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件和发光元件的制造方法。所述发光元件包括：基板；发光结构体，布置于所述基板上，且包括n型半导体层、p型半导体层以及位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层；ITO层，欧姆接触于所述p型半导体层；ZnO透明电极层，在所述p型半导体层上覆盖所述ITO层的上表面及侧面，并具有逆倾斜的侧面；分布式布拉格反射器，与所述发光结构体相向而布置于所述基板下表面；n电极，布置于所述n型半导体层上；以及p电极，布置于所述p型半导体层上。
发光元件制造方法

[发明专利]具有ZnO透明电极的发光元件及其制造方法-CN201680064395.9有效
发明人：李珍雄;申赞燮;李锦珠;李剡劤;梁明学;雅克布·J·理查德森;埃文·C·奥哈拉 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供一种具有ZnO透明电极的发光元件及其制造方法。根据一实施例的发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；以及ZnO透明电极，位于第二导电型半导体层上，并与第二导电型半导体层欧姆接触，且包括单晶ZnO，其中，通过XRD(X‑ray Diffraction)ω2θ(omega 2theta)扫描的ZnO透明电极的峰的衍射角处于通过XRDω2θ扫描的第二导电型半导体层的峰的衍射角的±1％范围内，且通过(XRD)ω(omega)扫描的ZnO透明电极的主峰的半宽(FWHM)为900arcsec以下。
具有 zno 透明电极发光元件及其制造方法

[实用新型]发光元件-CN201921312104.0有效
发明人：张钟敏;金彰渊;梁明学 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光元件。发光元件包括：第一发光部，包括第一n型半导体层和第一台面结构物，所述第一台面结构物使第一n型半导体层的一面的一部分暴露且包含竖直层叠的第一活性层、第一p型半导体层及第一透明电极；第二发光部，布置于暴露的第一n型半导体层上，并且包括第二n型半导体层、第二活性层、第二p型半导体层及第二透明电极；以及第一粘结部，将第一n型半导体层与第二n型半导体层之间粘结并电连接。
发光元件

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