[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括：位于彼此顶上的第一金属化层、第二金属化层、及第三金属化层，设置于衬底上方，其中所述第一金属化层、所述第二金属化层、及所述第三金属化层中的每一者包括形成于相应介电层中的相应金属化结构，其中所述第二金属化层设置于所述第一金属化层与所述第三金属化层之间；以及通孔塔结构，从所述第一金属化层延伸至所述第三金属化层，以电耦合所述第一金属化层与所述第三金属化层各自的所述相应金属化结构的至少一部分。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置。

背景技术

一般来说，在集成电路(integrated circuit，IC)中，设置于集成电路的有源装置上的一个或多个金属化层用于将信号连接、电力连接、及/或接地连接(groundconnection)布线(route)至其各自的期望位置，且还对各自耦合的有源装置进行内连以形成功能电路系统。由于集成电路已逐渐变得更强大且更复杂，因此金属化层内的各种内部布线内连线(routing interconnection)已变得更复杂。此已导致金属化层的数目增加。然而，此种增加数目的金属化层可继而增大用于信号传输的布线内连结构的相应电阻值及功耗。这通常归因于用于将金属化层彼此电耦合的每一额外金属化层的一个或多个对应通孔。更具体来说，布线内连结构的增大的电阻值的大部分是由相应通孔与金属化层之间的界面数目增加造成的。

为了解决此种问题，已提出了用于形成布线内连结构的各种方法来减小此种结构的电阻值。举例来说，可并排地(即，水平地)设置两个或更多个平行通孔以垂直地连接相邻金属化层。尽管平行通孔可实质上减小布线内连结构的总体电阻值，但此种额外的通孔可能需要对集成电路上的基板面(real estate)进行重新定位且因此会不利地增加设计复杂性(例如，自动放置及布线(auto-place and route，APR)复杂性、布局设计的大小等)。因此，用于在集成电路中形成布线内连结构的传统方法并不完全令人满意。

发明内容

根据本发明的实施例，半导体装置包括第一金属化层、第二金属化层、及第三金属化层以及通孔塔结构。第一金属化层、第二金属化层、及第三金属化层位于彼此顶上，且设置于衬底上方，其中所述第一金属化层、所述第二金属化层、及所述第三金属化层中的每一者包括形成于相应介电层中的相应金属化结构，其中所述第二金属化层设置于所述第一金属化层与所述第三金属化层之间。通孔塔结构从所述第一金属化层延伸至所述第三金属化层，以电耦合所述第一金属化层与所述第三金属化层各自的所述相应金属化结构的至少一部分。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明会最好地理解本公开的各个方面。应注意，各种特征未必按比例绘制。实际上，为清晰地论述起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸及几何形状。

图1说明根据某些实施例的一种形成半导体装置的示例性方法的流程图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、图2G、图2H、图2I、图2J、图2K、图2L、及图2M说明根据某些实施例通过图1所示方法制作的在各种制作阶段期间的示例性半导体装置的剖视图。

图3说明根据某些实施例的图2A至图2M所示半导体装置的被形成为最顶部金属化层的示例性电网网络的俯视图。

具体实施方式

以下公开内容阐述了用于实作主题的不同特征的各种示例性实施例。下文阐述组件及配置的具体实例以简化本公开内容。当然这些组件及配置仅为实例且并非旨在进行限制。举例来说，应理解，当称一元件“连接至”或“耦合至”另一元件时，所述元件可直接连接至或耦合至所述另一元件，或者可存在一个或多个中间元件。