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[发明专利]半导体装置-CN201710455884.3在审
发明人：尼克萨姆拉;斯帝芬鲁苏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：位于彼此顶上的第一金属化层、第二金属化层、及第三金属化层，设置于衬底上方，其中所述第一金属化层、所述第二金属化层、及所述第三金属化层中的每一者包括形成于相应介电层中的相应金属化结构，其中所述第二金属化层设置于所述第一金属化层与所述第三金属化层之间；以及通孔塔结构，从所述第一金属化层延伸至所述第三金属化层，以电耦合所述第一金属化层与所述第三金属化层各自的所述相应金属化结构的至少一部分
金属化层半导体装置金属化结构电耦合介电层塔结构衬底通孔延伸

[发明专利]一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构-CN202210039284.X在审
发明人：王来利;朱梦宇;杨成子;孔航;郭伟力;杨奉涛;齐志远;伍敏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
一种双面散热芯片倒装气密性耐高温封装结构

[发明专利]电感器及形成电感器的方法-CN201510266928.9在审
发明人： B·兰德格拉夫;M·霍弗 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：提供一种用于半导体器件的电感器，包括：多个结构化的金属化层，其中所述多个结构化的金属化层至少包括第一金属化层、安置在第一金属化层之上的第二金属化层、安置在第二金属化层之上的第三金属化层以及安置在第三金属化层之上的第四金属化层；其中第一金属化层的部分和第四金属化层的部分形成第一线圈；其中第二金属化层的部分和第三金属化层的部分形成第二线圈；以及其中第二线圈布置在由第一线圈限定的内部空间之内。
电感器形成方法

[实用新型]一种电路凸点下金属化层结构及电路板-CN202121540771.1有效
发明人：代雪梅;张雪林;李刘中;袁山富 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本申请公开一种电路凸点下金属化层结构及电路板，其中，一种电路凸点下金属化层结构，包括：电路结构，所述电路结构包括第一压焊点；凸点下金属化层，所述凸点下金属化层铺设于所述第一压焊点的顶部，所述凸点下金属化层上设有镂空结构通过设置所述凸点下金属化层上设有镂空结构，能够为所述凸点下金属化层在压合时挤压变形的凸点下金属化层提供容纳空间，避免所述凸点下金属化层在压合安装电器元件时发生变形金属从电器元件的四周溢出造成短路。
一种电路凸点下金属化结构电路板

[发明专利]通过多面的、偏置的屏蔽的开关器件性能改进-CN201780039566.7在审
发明人： S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种集成射频(RF)电路结构可以包括在隔离层的第一表面上的有源器件。集成RF电路结构还可以包括在与隔离层的第一表面相对的第二表面上的背面金属化。有源器件的本体通过背面金属化偏置。集成RF电路结构还可以包括利用过孔耦合到背面金属化的正面金属化。正面金属化在背面金属化的远端布置。正面金属化、过孔和背面金属化可以至少部分地包围有源器件。
背面金属化金属化源器件第一表面隔离层偏置第二表面电路结构集成射频开关器件性能改进耦合到屏蔽远端包围

[发明专利]一种基于半模基片集成波导结构的滤波天线-CN202010458396.X有效
发明人：华昌洲;纪真难;黄雪琴;陈益;王思捷 -专利权人：宁波大学
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半模基片集成波导结构的滤波天线，包括介质基板、第一金属层和第二金属层，第一金属层上设置有矩形开口，介质基板上设置有第一金属化通孔组、第三金属化通孔组、第六金属化通孔组和第七金属化通孔组围成的第一谐振腔、第三金属化通孔组、第四金属化通孔组、第五金属化通孔组、第六金属化通孔组、第七金属化通孔组、第八金属化通孔组和第九金属化通孔组围成第二谐振腔，第二金属化通孔组、第三金属化通孔组、第八金属化通孔组和第九金属化通孔组围成的第三谐振腔；优点是插入损耗低，可以实现信号的等幅同相分布，具有较高的单边选择性和较高的增益，且采用单层结构实现，结构简单，体积较小，且易于加工，加工成本较低。
一种基于半模基片集成波导结构滤波天线

[实用新型]印刷电路板的螺丝安装结构以及印刷电路板-CN202320115804.0有效
发明人：张斌 -专利权人：苏州源控电子科技有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种印刷电路板的螺丝安装结构以及印刷电路板，螺丝安装结构包括设置于印刷电路板上的用于与螺丝配合的非金属化孔，非金属化孔的孔壁上设置有多个相互间隔的金属化孔，金属化孔与非金属化孔连通，螺丝与非金属化孔螺纹配合时，螺丝与金属化孔抵接以实现电性连接。在利用非金属化孔安装螺丝时，使得螺丝与金属化孔抵接，从而使得螺丝与金属化孔电性连接，在金属化孔接地时，可以使得螺丝接地，从而使得印刷电路板的接地性能良好，以便于印刷电路板通过电磁兼容测试。
印刷电路板螺丝安装结构以及

[发明专利]集成电路的结构-CN202110080133.4在审
发明人：李贞儀;许嘉麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本揭露描述一种集成电路的结构，集成电路的结构包括基板、第一金属化层、富氮层、蚀刻停止层以及第二金属化层。第一金属化层位于基板上，且第一金属化层包含嵌入于介电质中的第一导电结构。富氮层形成在介电质内且位于第一导电结构之间。蚀刻停止层位于第一金属化层上并接触部分的第一导电结构及富氮层。第二金属化层位于第一金属化层上方，且第二金属化层包含第二导电结构。第二导电结构接触第一导电结构的剩余部分，而未接触蚀刻停止层。
集成电路结构

[发明专利]用于触点和互连金属化集成的腐蚀和/或蚀刻保护层-CN201710761479.4有效
发明人： S·艾哈迈德;B·G·莫泽;V·K·卡米内尼;D·科里;V·沙巴拉 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开内容涉及半导体结构，更具体地，涉及用于触点和互连金属化集成结构的腐蚀和/或蚀刻保护层和制造方法。所述结构包括在基材的沟道内形成的金属化结构和在所述金属化结构上的钴磷(CoP)层。所述CoP层经结构化以防止在蚀刻过程中金属从所述金属化结构迁移出和所述金属化结构的腐蚀。
用于触点互连金属化集成腐蚀蚀刻保护层

[发明专利]功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法-CN201410213221.7有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法。所述功率半导体芯片包括发射极/源极区、栅极区和集电极/漏极区，在每一个电极区对应铜金属化结构依次包括阻挡层、籽铜层、铜金属化层，该铜金属化结构还包括增强层，其中，增强层位于籽铜层和铜金属化层之间，或者，增强层位于阻挡层和籽铜层之间，或者，增强层位于铜金属化层的上方。这种铜金属化结构能够减少铜金属化层的厚度，因而有利于降低铜金属化的工艺难度和成本，并且能够保证铜引线键合点的寿命与可靠性。
功率半导体芯片金属化结构及其制作方法

[发明专利]陶瓷金属化结构及制造该结构的方法-CN201310223778.4有效
发明人：戴洲;庞学满;严蓉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： B32B18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷金属化结构及其制造方法，所述结构包括陶瓷基体，套印在金属-陶瓷封接界面并形成预设图形的金属化浆料，以及待所述金属化浆料干燥后，沿预设图形的边缘在所述陶瓷基体和金属化浆料层的边缘区域上套印的阻焊剂，所述金属化浆料和阻焊剂在高温共烧后分别成为金属化层和阻焊层。本发明能够避免应力导致的金属化层与陶瓷基体开裂、分离，提高金属化强度，可以广泛应用于各种金属陶瓷封接。
陶瓷金属化结构制造方法

[发明专利]RFID芯片模块-CN201280041390.6有效
发明人：斯蒂芬·比勒 -专利权人：泰克斯蒂尔玛股份公司
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：第一凹进结构被布置在所述载体的所述第一主表面中，并且芯片被布置在所述载体的所述第一凹进结构中。有图案的金属化层被沉积在所述载体的所述第二主表面上，所述金属化层具有第一金属化结构和第二金属化结构，所述第一金属化结构与所述第二金属化结构电隔离。所述芯片被电连接到所述第一金属化结构和所述第二金属化结构。所述芯片模块特别包括RFID芯片，并且适于通过激光回流焊接连接到织物基底。
rfid 芯片模块

[实用新型]线路板非金属化半孔的加工结构-CN201821592421.8有效
发明人：许龙龙;罗畅;陈黎阳 -专利权人：广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种线路板非金属化半孔的加工结构，所述的线路板非金属化半孔的加工结构包括板本体，所述板本体设有预设槽和预设的非金属化孔，所述预设槽的长度方向与所述非金属化孔的加工线一致，所述预设槽的第一端位于所述非金属化孔的外部，所述预设槽的第二端位于所述非金属化孔的内部。在上述线路板非金属化半孔的加工结构上加工非金属化半孔时，刀具沿着非金属化孔的加工线方向加工，刀具先进入预设槽的第一端，再通过预设槽的第二端直接到达非金属化孔的内部。因此，刀具的起刀点在预设槽的第一端，而不是在非金属化孔的侧壁上，避免刀具的切削力拉扯非金属化孔的侧壁，避免加工出的非金属化半孔带有毛刺。
非金属化孔预设槽非金属化半孔线路板加工结构刀具第一端板本体加工线侧壁加工毛刺本实用新型切削力拉扯预设外部

[发明专利]与气隙结合的金属-氧化物-金属电容器-CN200810192971.5有效
发明人：张家龙;叶名世;陈家逸;鲁定中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种结合气隙和金属-氧化物-金属(MOM)电容器的集成电路结构被揭示。集成电路结构包括：半导体衬底；覆盖在半导体衬底之上的第一金属化层；在第一金属化层中的第一金属结构；覆盖在第一金属化层之上的第二金属化层；在第二金属化层中的第二金属结构，其中，第一和第二金属结构为非电容器结构；MOM电容器，它在第一和第二金属化层中的至少一个中具有一个区域；和，在第一金属化层中的、在第一金属结构之间的一个气隙。
结合金属氧化物电容器

[发明专利]一种网结构电路模型电容器-CN201911352856.4有效
发明人：戴晶怡 -专利权人：四川省科学城久信科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供了一种网结构电路模型电容器，包括：金属化膜片、金属化膜片叠层，以及以分布参数形式嵌入在金属化膜片及金属化膜片叠层中的多个单元电容；金属化膜片与金属化膜片叠层构成电容器的网结构电路结构；其中，多个单元电容具有等电容量值的单位特征本发明提供的网结构电路原理电容器，采用单元电容嵌入金属化膜片及金属化膜片叠层中的结构电容体内无需导体引线，构成一体的电容器，采用三维空间上的金属化膜叠加，满足了新电容器中间电极的设计和工艺制备，采用原理电容器大大降低了电容器内部的电阻和电感
一种结构电路模型电容器

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