[发明专利]电子封装件及其制法有效
申请号: | 201710450359.2 | 申请日: | 2017-06-15 |
公开(公告)号: | CN108987355B | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 蔡国清;梁肇恩;陈信龙 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 承载结构 电子封装件 制法 电子元件电性 导电元件 结合层 堆叠 | ||
1.一种电子封装件,其特征在于,该电子封装件包括:
第一承载结构;
电子元件,其透过结合层设于该第一承载结构上;
第二承载结构,其通过多个导电元件与该第一承载结构相堆叠,且电性连接该电子元件;以及
包覆层,其形成于该第一承载结构与第二承载结构之间,以包覆该电子元件与所述导电元件,且该包覆层与该第二承载结构之间形成有间隔。
2.根据权利要求1所述的电子封装件,其特征在于,该电子元件通过导电凸块电性连接该第二承载结构。
3.根据权利要求1所述的电子封装件,其特征在于,该结合层为黏着材、薄膜或散热材。
4.根据权利要求1所述的电子封装件,其特征在于,该导电元件包含金属块与包覆该金属块的导电材。
5.根据权利要求1所述的电子封装件,其特征在于,该导电元件的部分表面凸出该包覆层的表面。
6.根据权利要求5所述的电子封装件,其特征在于,该电子封装件还包括形成于该间隔中的绝缘层,以包覆该导电元件凸出该包覆层的部分表面。
7.根据权利要求6所述的电子封装件,其特征在于,该绝缘层与该包覆层分布于相同的区域内。
8.根据权利要求1所述的电子封装件,其特征在于,该电子元件具有相对的作用面与非作用面,该非作用面结合该结合层,且该作用面齐平该包覆层的表面。
9.一种电子封装件的制法,其特征在于,该制法包括:
将一电子元件透过结合层结合至一第一承载结构上;
将该第一承载结构通过多个导电元件堆叠于一第二承载结构上,且令该电子元件电性连接该第二承载结构;以及
于该第一承载结构与该第二承载结构之间形成包覆该电子元件与所述导电元件的包覆层,且该包覆层与该第二承载结构之间形成有间隔。
10.根据权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征在于,该电子元件通过导电凸块电性连接该第二承载结构。
11.根据权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征在于,该结合层为黏着材、薄膜或散热材。
12.根据权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征在于,该导电元件包含金属块与包覆该金属块的导电材。
13.根据权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征在于,该导电元件的部分表面凸出该包覆层的表面。
14.根据权利要求13所述的电子封装件的制法,其特征在于,该制法还包括形成绝缘层于该间隔中,以包覆该导电元件凸出该包覆层的部分表面。
15.根据权利要求14所述的电子封装件的制法,其特征在于,该绝缘层与该包覆层分布于相同的区域内。
16.根据权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征在于,该电子元件具有相对的作用面与非作用面,该非作用面结合该结合层,且该作用面齐平该包覆层的表面。
17.根据权利要求9所述的电子封装件的制法,其特征在于,该制法还包括:
形成所述导电元件于该第一承载结构上;
形成该包覆层于该第一承载结构上,以包覆该电子元件与所述导电元件,且令该导电元件的部分表面外露出该包覆层;以及
将该第一承载结构通过所述导电元件堆叠于该第二承载结构上,使该包覆层位于该第一承载结构与该第二承载结构之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710450359.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种宽禁带功率半导体模块封装结构
- 下一篇:半导体封装结构