[发明专利]半导体结构的形成方法、LDMOS晶体管及其形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法、LDMOS晶体管及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上鳍部；进行隔离注入处理，在所述鳍部内形成隔离区。所述隔离区是通过隔离注入处理而形成的，所以形成所述隔离区的过程无需对所述鳍部进行刻蚀，能够有效降低形成工艺难度，也不会改变所述基底的表面形貌，能够降低所述隔离区形成过程对后续工艺的影响，从而有利于降低后续步骤的工艺难度，有利于提高后续步骤的工艺质量；当所述半导体结构用于形成LDMOS晶体管时，本发明技术方案有利于提高工艺质量，有利于所形成LDMOS晶体管电学性能的改善。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法、LDMOS晶体管及其形成方法。

背景技术

横向扩散场效应(Lateral Diffusion MOS,LDMOS)晶体管是一种通过平面扩散(planar diffusion)在半导体基板表面形成横向电流路径的半导体结构。与传统MOS晶体管相比，LDMOS晶体管中源区和漏区之间具有轻掺杂区，被称之为漂移区。因此在LDMOS晶体管在源区和漏区之间连接高压时，漂移区能够承受较高的电压降，所以LDMOS晶体管能够具有较高的击穿电压。

LDMOS晶体管包括位于半导体衬底内的源区区域、漏区区域以及位于源区区域和漏区区域之间的沟道区，栅极位于沟道区域上方。此外，与传统场效应晶体管不同的是，LDMOS晶体管中漏区区域与栅极之间的距离大于源区区域与栅极之间的距离，并且漏区区域位于用以分隔沟道区域和漏区区域的掺杂阱内。

另一方面，为了更好适应器件尺寸按比例缩小的要求，非平面晶体管应运而生，例如全包围栅极(Gate-all-around，GAA)晶体管或鳍式场效应管(FinFET)。其中，鳍式场效应晶体管与现有技术具有更好的兼容性，因此得到了广泛的应用。

但是在引入鳍式场效应晶体管结构后，现有技术所形成的LDMOS晶体管的电学性能仍有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法、LDMOS晶体管及其形成方法，以提高所形成LDMOS晶体管的电学性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上的鳍部；进行隔离注入处理，在所述鳍部内形成隔离区。

本发明还提供一种LDMOS晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上的鳍部；进行隔离注入处理，在部分所述鳍部内形成第一隔离区；进行第一注入处理，在所述鳍部内形成第一掺杂区，所述第一掺杂区包围所述第一隔离区；进行第二注入处理，在所述鳍部内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区相邻设置，所述第二掺杂区的掺杂离子类型与所述第一掺杂区的掺杂离子类型不同；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于部分所述第一隔离区和部分所述第二掺杂区上；在所述第一掺杂区内形成漏区；在所述第二掺杂区内形成源区。

相应的，本发明还提供一种LDMOS晶体管，包括：基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上的鳍部；第一隔离区，位于所述鳍部内，所述第一隔离区通过隔离注入处理形成；第一掺杂区，位于所述鳍部内且包围所述第一隔离区；第二掺杂区，位于所述鳍部内且与所述第一掺杂区相邻设置；栅极结构，横跨所述鳍部且位于部分所述第一隔离区和部分所述第二掺杂区上；漏区，位于所述第一掺杂区内；源区，位于所述第二掺杂区内。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：