[发明专利]半导体结构的形成方法、LDMOS晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上的鳍部；

进行隔离注入处理，在所述鳍部内形成隔离区；

进行隔离注入处理的步骤包括：在所述基底上形成掩膜层，所述掩膜层露出所述鳍部部分顶部；对所述掩膜层露出的鳍部进行隔离注入处理，以形成所述隔离区。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述隔离注入处理的注入离子为C、N和O中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述隔离注入处理的工艺参数包括：离子注入能量注入能量在10KeV到30KeV范围内；注入剂量在5E15atom/cm²到5E16atom/cm²范围内。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述隔离注入处理的工艺参数包括：

在注入离子为C时，离子注入能量注入能量在10KeV到30KeV范围内；注入剂量在5E15atom/cm²到5E16atom/cm²范围内；

在注入离子为N时，注入能量在10KeV到20KeV范围内；注入剂量在5E15atom/cm²到8E15atom/cm²范围内；

在注入离子为O时，注入能量在15KeV到30KeV范围内；注入剂量在5E15atom/cm²到5E16atom/cm²范围内。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述隔离注入处理的注入深度大于或等于所述鳍部的高度。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：进行隔离注入处理之后，进行激活退火处理。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述激活退火处理的退火温度在700℃到1150℃范围内，退火时间在1min到30min范围内。

8.一种LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上的鳍部；

进行隔离注入处理，在部分所述鳍部内形成第一隔离区；

进行第一注入处理，在所述鳍部内形成第一掺杂区，所述第一掺杂区包围所述第一隔离区；

进行第二注入处理，在所述鳍部内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区相邻设置，所述第二掺杂区的掺杂离子类型与所述第一掺杂区的掺杂离子类型不同；

形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构位于部分所述第一隔离区和部分所述第二掺杂区上；

在所述第一掺杂区内形成漏区；

在所述第二掺杂区内形成源区。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，进行隔离注入处理的步骤还包括：在部分所述鳍部内形成第二隔离区，所述第二隔离区与所述第一隔离区间隔设置；

所述第二掺杂区包围所述第二隔离区；

所述栅极结构还位于部分所述第二隔离区上。

10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述隔离注入处理的注入离子为C、N和O中的一种或多种。

11.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述隔离注入处理的工艺参数包括：注入能量在10KeV到30KeV范围内，注入剂量在5E15atom/cm²到5E16atom/cm²。

12.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述隔离注入处理的注入深度大于或等于所述鳍部的高度。