[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，第一区和第二区衬底上具有鳍部；通过第一氧化处理在所述第一区鳍部表面形成第一氧化层；对所述第二区鳍部进行第二氧化处理，在所述第二区鳍部表面形成第二氧化层。所述形成方法通过第一氧化处理控制所述第一氧化层的厚度以及第一区鳍部的形貌，从而使所述第一区鳍部能够满足第一区所形成的晶体管的性能要求。通过第二氧化处理控制所述第二氧化层的厚度以及第二区鳍部的形貌，从而使所述第二区鳍部能够满足第二区所形成的晶体管的性能要求。综上，所述形成方法能够同时满足第一区所形成晶体管对第一区鳍部的要求，以及第二区所形成晶体管对第二区鳍部的要求。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的不断进步，半导体器件向着高集成度、高质量的方向发展，半导体器件的特征尺寸相应减小。半导体器件特征尺寸的减小，意味着在一片芯片上形成更多的晶体管，能够改善半导体器件的性能。

特别是在存储器件中，随着信息技术的发展，信息量不断增大，这就对存储器的存储量提出了更高的要求。存储器包括存储区和外围区。所述存储区用于形成存储单元，存储单元用于存储数据。所述外围区用于形成存储器的外围电路。存储区晶体管尺寸的减小，能够使存储区布置更多的晶体管，对增加存储器存储的信息量具有巨大优势。存储器对存储区和外围区晶体管的性能具有不同要求，也使得存储区和外围区晶体管的结构具有差异，随着存储区晶体管尺寸的减小，这种差异更加显著。

为了减小鳍部顶部和侧壁相交的拐角处的电场，防止鳍部拐角处的栅介质层被击穿，往往需要对鳍部进行氧化处理，增加鳍部拐角处的曲率半径。存储器的存储区和外围区对所述氧化处理的要求不同。

然而，现有的半导体结构的形成方法很难同时满足存储器存储区和外围区对氧化处理的不同要求，导致所形成的半导体结构性能较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够改善半导体结构性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区衬底上具有鳍部；对所述第一区鳍部进行第一氧化处理，在所述第一区鳍部表面形成第一氧化层，并使所述第一区鳍部顶部和侧壁之间的拐角形成第一圆角；对所述第二区鳍部进行第二氧化处理，在所述第二区鳍部表面形成第二氧化层，并使所述第二区鳍部顶部和侧壁之间的拐角形成第二圆角，所述第一圆角和第二圆角的曲率不相同。

可选的，所述第一区鳍部的宽度小于所述第二区鳍部的宽度；所述第一圆角的曲率大于所述第二圆角的曲率。

可选的，所述第一区域鳍部的宽度为0.05微米～0.07微米；所述第二区域鳍部的宽度大于或等于0.3微米。

可选的，所述第一氧化层的厚度为45埃～55埃；所述第二氧化层的厚度为90埃～110埃。

可选的，对所述第一区鳍部进行第一氧化处理的步骤包括：对所述第一区鳍部和第二区鳍部进行氧化，在所述第一区鳍部和第二区鳍部表面形成第一初始氧化层；去除所述第二区的第一初始氧化层，形成第一氧化层。

可选的，对所述第一区鳍部和第二区鳍部进行氧化的工艺参数包括：反应气体包括氧气，反应气体流量为0.05升/分钟～0.5升/分钟，氧化时间为2小时～8小时。

可选的，去除所述第二区的第一初始氧化层的步骤包括：形成覆盖所述第一区鳍部侧壁的第一隔离层；以所述第一隔离层为掩膜对所述第一初始氧化层进行刻蚀。

可选的，形成所述第一隔离层的步骤包括：形成覆盖所述第一区鳍部侧壁和第二区鳍部侧壁的第一初始隔离层；去除所述第二区的第一初始隔离层，形成第一隔离层；形成所述第一初始隔离层的工艺包括流体化学气相沉积工艺或等离子体增强化学气相沉积工艺。