[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区衬底上具有鳍部，所述第一区用于形成存储器件，所述第二区用于形成外围器件，所述第一区上的鳍部宽度小于所述第二区上的鳍部宽度；

对所述第一区鳍部进行第一氧化处理，在所述第一区鳍部表面形成第一氧化层，并使所述第一区鳍部顶部和侧壁之间的拐角形成第一圆角；

对所述第二区鳍部进行第二氧化处理，在所述第二区鳍部表面形成第二氧化层，所述第二氧化层的厚度大于所述第一氧化层的厚度，并使所述第二区鳍部顶部和侧壁之间的拐角形成第二圆角，所述第一圆角的曲率大于所述第二圆角的曲率。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区鳍部的宽度为0.05微米～0.07微米；所述第二区鳍部的宽度大于或等于0.3微米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为45埃～55埃；所述第二氧化层的厚度为90埃～110埃。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一区鳍部进行第一氧化处理的步骤包括：对所述第一区鳍部和第二区鳍部进行氧化，在所述第一区鳍部和第二区鳍部表面形成第一初始氧化层；去除所述第二区的第一初始氧化层，形成第一氧化层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一区鳍部和第二区鳍部进行氧化的工艺参数包括：反应气体包括氧气，反应气体流量为0.05升/分钟～0.5升/分钟，氧化时间为2小时～8小时。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第二区的第一初始氧化层的步骤包括：形成覆盖所述第一区鳍部侧壁的第一隔离层；以所述第一隔离层为掩膜对所述第一初始氧化层进行刻蚀。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离层的步骤包括：形成覆盖所述第一区鳍部侧壁和第二区鳍部侧壁的第一初始隔离层；去除所述第二区的第一初始隔离层，形成第一隔离层；形成所述第一初始隔离层的工艺包括流体化学气相沉积工艺或等离子体增强化学气相沉积工艺。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区鳍部和第二区鳍部顶部上具有掩膜层；形成所述第一隔离层之后，以所述掩膜层为掩膜对所述第二区鳍部进行第二氧化处理。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料为氧化硅。

10.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层还覆盖所述第一区鳍部顶部。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二氧化处理的工艺参数包括：反应气体包括氧气，反应气体流量为0.05升/分钟～0.5升/分钟，氧化时间为2小时～8小时。

12.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二区衬底上形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第二区鳍部侧壁。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二隔离层的步骤包括：形成覆盖所述第一隔离层和第二区鳍部的第二初始隔离层；去除所述第一区的第二初始隔离层，形成第二隔离层；

形成所述第二初始隔离层的工艺包括高密度等离子体化学沉积工艺或流体化学气相沉积工艺。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：对所述第一隔离层和第二隔离层进行刻蚀，形成隔离结构，所述隔离结构暴露出所述鳍部部分侧壁。