[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供能够更准确地进行UV‑A波与UV‑B波的分离并且更正确地进行UV‑B波的紫外线光量的感测的半导体装置以及半导体装置的制造方法。包含：第一光电变换元件（80A）和第二光电变换元件（80B），输出与光接收的光的强度对应的光电流；第一滤光器（30A），被设置在第一光电变换元件（80A）的光接收面上；第二滤光器（30B），被设置在第二光电变换元件（80B）的光接收面上；以及第三滤光器（32），与第二滤光器（30B）相接地配置，并且，被设置在第二光电变换元件（80B）的光接收面上，在第一光电变换元件（80A）与第二光电变换元件（80B）的边界附近，第二滤光器（30B）和第三滤光器（32）的端部包覆第一滤光器（30A）的端部。

技术领域

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

当前，伴随着由于臭氧层的破坏造成的紫外线的照射量的增加，担忧太阳光所包含的紫外线给人体或环境带来的影响。

紫外线被分类为长波紫外线（UV-A波：波长约320nm~400nm）、中波紫外线（UV-B波：波长约280nm~320nm）、以及短波紫外线（UV-C波：波长约280nm以下），根据这些波长区域而给人体或环境带来的影响不同。UV-A波使皮肤黑化并到达真皮而成为老化的原因。UV-B波使皮肤产生炎症而存在诱发皮肤癌的可能性。UV-C波被看作存在强的杀菌作用，但是，UV-C波被臭氧层吸收，因此，到达地上极少。

在保护人体之上迅速地报知每日的紫外线的照射量为重要的课题，在1995年导入了成为紫外线量的指标的UV索引。UV索引为对人体造成影响的相对影响度，能够使用由CIE（Commission Internationale de I'Eclairage：国际照明委员会）定义的CIE作用光谱来计算。

因此，谋求正确地感测紫外线之中的UV-A波和UV-B波的紫外线光量的每一个的情况。此外，向同时感测UV-B波（或UV-A波）的紫外线光量以及UV-A波和UV-B波的总量的紫外线光量测定的要求提高。

在专利文献1中，公开了如下的紫外线光接收元件的发明：在第一光电二极管上具备透射UV-A波、UV-B波和可见光的第一滤光器，并且，在第二光电二极管上具备透射UV-A波和可见光的第二滤光器，由此，能够根据第一光电二极管所感测的紫外线光量和第二光电二极管所感测的紫外线光量来将UV-A波的紫外线光量和UV-B波的紫外线光量分离感测。在专利文献1所公开的紫外线光接收元件中，第一滤光器的光吸收特性和第二滤光器的光吸收特性的不同由构成各个滤光器的氮化硅膜所含有的氢量决定。

此外，在专利文献2中公开了如下的紫外线传感器的发明：在光电二极管上层叠有UV-A波和UV-B波的波长区域中的光透射率高的保护膜、以及UV-A波和UV-B波的波长区域中的光透射率高且由交替地层叠有低折射率材料和高折射率材料的多层膜构成的具有能够对UV-C波和可见光进行遮蔽的滤光特性的滤光膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-251709号公报；

专利文献2：国际公开第2012/137539号小册子。

发明要解决的课题

可是，在太阳光所包含的紫外线中，通常，UV-A波的紫外线光量相对于UV-B波的紫外线光量极高，因此，在专利文献1所公开的紫外线光接收元件中难以正确地感测UV-B波的紫外线光量的情况根据本发明者是显而易见的。进而，也判明：在专利文献1所公开的紫外线光接收元件中，通过光电二极管感测可见光，因此，本来难以正确地感测UV-B波的紫外线光量。