[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，包含：

第一光电变换元件和第二光电变换元件，彼此邻接地配置，并且，输出与分别光接收的光的强度对应的光电流；

第一滤光器，被设置在所述第一光电变换元件的光接收面上，对第一波长区域的光进行遮断；

第二滤光器，被设置在所述第二光电变换元件的光接收面上，对第二波长区域的光进行遮断；以及

第三滤光器，与所述第二滤光器相接地配置，并且，被设置在所述第二光电变换元件的光接收面上，对第三波长区域的光进行遮断，

在所述第一光电变换元件与所述第二光电变换元件的边界附近，所述第二滤光器和所述第三滤光器的端部包覆所述第一滤光器的端部，

以所述第一波长区域、所述第二波长区域、所述第三波长区域这样的顺序排列的所述第一波长区域、所述第二波长区域以及所述第三波长区域的组合在将PB作为紫色和蓝色的波长区域的情况下是PB、PB、UV-A这样的组合、PB、UV-A、PB这样的组合、UV-A、UV-A、PB这样的组合以及UV-A、PB、UV-A这样的组合的任意一个。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一滤光器、所述第二滤光器和所述第三滤光器的至少一个由交替地层叠有折射率彼此不同的高折射率膜和低折射率膜的多层膜构成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第三滤光器被配置在所述第二滤光器的上部并且由多层膜构成，并且，具备厚膜层，所述厚膜层具有与所述高折射率膜和所述低折射率膜的任一个相同的折射率并且比所述高折射率膜和所述低折射率膜厚。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述厚膜层被配置在所述第三滤光器的最上部。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述厚膜层具有与所述低折射率膜相同的折射率。

6.根据权利要求1~权利要求5的任一项所述的半导体装置，其中，

还包含层间绝缘膜，所述层间绝缘膜被形成在所述第一光电变换元件和所述第二光电变换元件的上部，

所述第一滤光器经由所述层间绝缘膜被设置在所述第一光电变换元件的光接收面上，

所述第二滤光器和所述第三滤光器经由所述层间绝缘膜被设置在所述第二光电变换元件的光接收面上。

7.根据权利要求1~权利要求5的任一项所述的半导体装置，其中，

所述第二滤光器和所述第三滤光器具备使所述第一滤光器露出的开口部。

8.一种半导体装置的制造方法，其中，包含：

将彼此邻接地配置并且输出与分别光接收的光的强度对应的光电流的第一光电变换元件和第二光电变换元件形成在基板上的工序；

将对第一波长区域的光进行遮断的第一滤光器形成在所述第一光电变换元件的光接收面上的工序；以及

将对第二波长区域的光进行遮断的第二滤光器和对第三波长区域的光进行遮断的第三滤光器形成在所述第二光电变换元件的光接收面上以使在所述第一光电变换元件与所述第二光电变换元件的边界附近所述第二滤光器和所述第三滤光器的端部包覆所述第一滤光器的端部的工序，

以所述第一波长区域、所述第二波长区域、所述第三波长区域这样的顺序排列的所述第一波长区域、所述第二波长区域以及所述第三波长区域的组合在将PB作为紫色和蓝色的波长区域的情况下是PB、PB、UV-A这样的组合、PB、UV-A、PB这样的组合、UV-A、UV-A、PB这样的组合以及UV-A、PB、UV-A这样的组合的任意一个。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述第二滤光器和所述第三滤光器的工序包含：使利用抗蚀剂的掩模以从所述第一滤光器的端部后退预先确定的距离的方式形成在所述第一滤光器上的工序、以及通过除去所述抗蚀剂来进行的剥离工序。