[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底上具有第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构和第二栅极结构间的基底具有间隔区，基底上、第一栅极结构的侧壁和顶部上以及第二栅极结构侧壁和顶部具有介质层，介质层上具有停止层；去除间隔区上的停止层和部分介质层，在停止层和介质层内形成第一开口，第一开口底部暴露出间隔区介质层；去除第二栅极结构上停止层，直至暴露出第二栅极结构上的介质层的顶部，在第二栅极结构上的停止层内形成第二开口，第二开口与第一开口连通；以停止层为掩膜，刻蚀第一开口和第二开口底部的介质层，直至暴露出间隔区基底和第二栅极结构表面，在介质层内形成第三开口。所形成的器件性能较好。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体工艺技术的不断发展，例如高K栅介质层的引入、应力工程技术、口袋区离子注入以及材料和器件结构的不断优化，半导体器件的尺寸不断缩小。但是当器件的特征尺寸进一步下降时，由于短沟道效应越发显著、制成变异、可靠性下降导致平面晶体管面临巨大的挑战。与平面晶体管相比，鳍式场效应晶体管具有全耗尽的鳍部、更低的掺杂离子浓度波动、更高的载流子迁移率、更低的寄生电容以及更高的面积使用效率，从而受到广泛的关注。

在集成电路制造过程中，如在衬底上生成半导体器件结构后，需要使用多个金属化层将各半导体器件连接在一起形成电路，金属化层包括互连线和形成在接触孔内的金属插塞，接触孔内的金属插塞连接半导体器件，互连线将不同半导体器件上的金属插塞连接起来形成电路。晶体管上形成的接触孔包括栅极表面的接触孔，以及连接有源区的接触孔。

然而，形成所述连接有源区的接触孔的过程中，对其他器件造成损伤，所形成的半导体器件的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和第二栅极结构之间的基底具有间隔区，所述基底上、第一栅极结构的侧壁和顶部上以及第二栅极结构的侧壁和顶部表面具有介质层，所述介质层上具有停止层；去除所述间隔区上的停止层和部分介质层，在所述停止层和介质层内形成第一开口，所述第一开口底部暴露出间隔区上的介质层；形成第一开口之后，去除第二栅极结构上的停止层，直至暴露出第二栅极结构上的介质层的表面，在所述第二栅极结构上的停止层内形成第二开口，所述第二开口与第一开口连通；以所述停止层为掩膜，刻蚀第一开口和第二开口底部的介质层，直至暴露出间隔区的基底和第二栅极结构的顶部表面，在介质层内形成第三开口。

可选的，所述停止层的材料包括：氮化硅或氮化硼。

可选的，所述停止层的厚度为：100埃～800埃。

可选的，所述第一开口的形成步骤包括：在所述间隔区的部分停止层上形成掩膜层，且所述掩膜层由第一栅极结构横跨至第二栅极结构；形成所述掩膜层之后，在所述停止层上形成第一图形层，所述第一图形层暴露出掩膜层和停止层的顶部表面；以所述掩膜层和第一图形层为掩膜，刻蚀所述间隔区上的停止层和部分介质层，形成所述第一开口。

可选的，以所述掩膜层和第一图形层为掩膜，刻蚀所述停止层的工艺包括：各向异性干法刻蚀工艺；以所述掩膜层和第一图形层为掩膜，刻蚀所述部分介质层的工艺包括：各向异性干法刻蚀工艺。

可选的，所述第一开口的形成步骤包括：在所述停止层上形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分或全部间隔区的停止层的顶部表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述间隔区的停止层和部分介质层，在所述停止层和介质层内形成所述第一开口。

可选的，所述掩膜层的材料包括氮化硅。

可选的，所述第一开口的深宽比为：2/1～15/1。