[发明专利]半导体装置及制造其的方法有效
申请号: | 201710342553.9 | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN107946257B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 林员梃;王启宇;赖威宏;高金利 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
本案揭示一种半导体装置,其包含第一裸片、第二裸片、封装体、第一介电层及至少一个第一迹线。所述第一裸片包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,且包含经安置成毗邻于所述第一裸片的所述第一表面的至少一个第一垫。所述第二裸片包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,且包含经安置成毗邻于所述第二裸片的所述第一表面的至少一个第二垫。所述第一介电层经安置在所述第一裸片的所述第一表面的至少一部分及所述第二裸片的所述第一表面的至少一部分上。所述第一迹线经安置在所述第一介电层上,所述第一迹线将所述第一垫连接到所述第二垫,且所述第一迹线包括经安置成毗邻于所述第一垫的端部分及主体部分,且所述端部分以相对于所述主体部分的延伸方向的角度θ1延伸。
技术领域
本案是涉及一种半导体装置及制造其的方法,且更特定地说,是涉及一种包含至少两个裸片的半导体装置及制造其的方法。
背景技术
常规地,扇出晶片级封装结构含有多个裸片、围绕所述裸片的封装体及电连接所述裸片的重布线层,其中所述重布线层经布置在所述裸片及所述封装体上。然而,裸片到裸片连接可包含不同材料且可涉及异质接面结构,其可因不同材料的相应热膨胀系数的差异而导致严重翘曲问题或甚至迹线在所述迹线的翘曲部分处的断裂。因此,期望提供可解决上文提及的问题的半导体装置及用于制造其的方法。
发明内容
在一些实施例中,根据一态样,半导体装置包含第一裸片、第二裸片、第一介电层及至少一个第一迹线。第一裸片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,且包含经安置成毗邻于所述第一裸片的所述第一表面的至少一个第一垫。所述第二裸片具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,且包含经安置成毗邻于所述第二裸片的所述第一表面的至少一个第二垫。所述半导体装置进一步包含经安置在所述第一介电层上且将所述第一垫连接到所述第二垫的第一迹线,所述第一迹线具有毗邻于所述第一垫的端部分及主体部分,其中所述端部分经安置成与相对于所述主体部分的延伸方向成角度θ1。
在一些实施例中,根据另一态样,半导体装置包含第一裸片、第二裸片、第一介电层及至少一个第一迹线。所述第一裸片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面,及将所述第一表面连接到所述第二表面的侧表面,其中所述第一裸片包含经安置成毗邻于所述第一裸片的所述第一表面的至少一个第一垫。所述第二裸片具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面,及将所述第一表面连接到所述第二表面的侧表面,其中所述第二裸片包含经安置成毗邻于所述第二裸片的所述第一表面的至少一个第二垫。所述第一介电层经安置在所述第一裸片的所述第一表面的至少一部分及所述第二裸片的所述第一表面的至少一部分上。所述第一迹线经安置在所述第一介电层上且将所述第一垫连接到所述第二垫,其中所述第一迹线包含主体部分及端部分,且所述端部分以相对于所述第一裸片及所述第二裸片的所述侧表面中的一者或两者的角度θ2从所述主体部分延伸到所述第二垫。
在一些实施例中,根据另一态样,制造半导体装置的方法,包括:提供具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面的第一裸片,所述第一裸片包括经安置成毗邻于所述第一裸片的所述第一表面的至少一个第一垫;提供具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面的第二裸片,所述第二裸片包括毗邻于所述第二裸片的所述第一表面的至少一个第二垫;将介电层安置在所述第一裸片的所述第一表面的至少一部分及所述第二裸片的所述第一表面的至少一部分上;及将至少一个第一迹线安置在所述介电层上,所述至少一个第一迹线将所述第一垫连接到所述第二垫,所述第一迹线具有经安置成毗邻于所述第一垫的端部分及主体部分,其中所述端部分经安置成与相对于所述主体部分的延伸方向成非零角度。
附图说明
图1说明根据本案的一些实施例的半导体装置的透视图。
图2说明图1中所描绘的实施例的剖面图。
图3说明图1中所描绘的实施例的俯视图。
图4说明半导体装置的一些实施例的俯视图。
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