[发明专利]一种缓解芯片封装应力的结构及其制作方法

权利要求书

1.一种缓解芯片封装应力的结构的制作方法，该结构包括至少一芯片（104），一绝缘层（200），所述芯片包含正面与背面，所述正面含有钝化层（101）及钝化层内的焊垫（102），所述芯片正面有一层绝缘层（200），绝缘层四周有暴露焊垫的第一开口（202），和暴露钝化层的第二开口（201），所述第二开口（201）相对第一开口（202）设置，以使第一开口（202）与第二开口（201）分布趋于均匀，从所述第一开口（202）内引出有导电线路（4），所述第二开口（201）内填充有金属层（3）；

其特征在于，该制作方法包括如下步骤：

A）提供一晶圆（100），该晶圆含有若干芯片（104）单元，所述芯片（104）正面具有钝化层（101）及若干焊垫（102）；

B）在晶圆（100）正面形成具有暴露焊垫（102）的第一开口（202）和暴露钝化层（101）的第二开口（201）的绝缘层（200）；

C）在绝缘层（200）上形成导电线路（4）及金属层（3）；

D）在所述导电线路（4）及金属层（3）上形成保护层和导电结构（5）；

E）切割形成单颗芯片（104）封装体。

2.根据权利要求1所述的一种缓解芯片封装应力的结构的制作方法，其特征在于，所述第一开口（202）和第二开口（201）的形成方式为光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀中的一种或多种结合。

3.根据权利要求1所述一种缓解芯片封装应力的结构的制作方法，其特征在于，所述钝化层（101）包含一层或多层二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、五氧化二钽、氧化铝、二氧化铪绝缘性质的介电材料，钝化层厚度为2μm~3μm；

所述绝缘层（200）包含一层或多层苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚苯并恶唑；

所述金属层（3）为铜、镍、金、铝、镍磷、钯和钛中的一种的单层金属结构或几种的多层金属。

4.一种缓解芯片封装应力的结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

A）提供一晶圆（100），该晶圆（100）含有若干芯片（104）单元，各芯片（104）单元正面含有功能区（103）及焊垫（102），焊垫（102）在芯片（104）正面四周分布不均；

B）在晶圆（100）背面形成钝化层（101）；

C）在晶圆（100）背面形成开孔和/或槽（7）；

D）在所述晶圆（100）背面、所述孔和/槽（7）内壁形成暴露焊垫(102)的绝缘层（200）；

E）在所述绝缘层（200）上形成暴露焊垫的第一开口（202）与暴露钝化层的第二开口（201）；

F）在所述绝缘层（200）上形成导电线路（4）及金属层（3）；

G）在所述导电线路（4）及金属层（3）上形成保护层（6）和导电结构（5）；

H）切割形成单颗芯片（104）封装体；

所述钝化层（101）的形成方式为PECVD；

所述开孔和/或槽（7）的形成方式为切割、刻蚀中的一种或两者结合；

所述第一开口（202）和第二开口（201）的形成方式为光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀中的一种或多种结合。

5.一种缓解芯片封装应力的结构，其特征在于，包括至少一芯片（104），一绝缘层（200），所述芯片包含正面与背面，所述正面含有钝化层（101）及钝化层内的焊垫（102），所述芯片正面有一层绝缘层（200），绝缘层四周有暴露焊垫的第一开口（202），和暴露钝化层的第二开口（201），所述第二开口（201）相对第一开口（202）设置，以使第一开口（202）与第二开口（201）分布趋于均匀，从所述第一开口（202）内引出有导电线路（4），所述第二开口（201）内填充有金属层（3）。