[发明专利]半导体模块

说明书

电力转换器1的半导体模块11包括彼此并联连接并且被设置在同一引线框16上的IGBT 14和MOSFET 15，所述IGBT 14和MOSFET 15中的任一者是第一切换元件，并且剩下的一个是第二切换元件，并且所述第二切换元件的传导路径被布置在与同一引线框16中的所述第一切换元件的传导路径分开的位置处。

技术领域

本发明涉及一种半导体模块。

背景技术

常规而言，作为构成电力转换器的半导体模块，以下配置是已知的：其中，在高电流区域中性能优异的IGBT与在低电流区域中性能优异的MOSFET相结合。

例如，JP 5863599和JP 5805513各自披露了配备有彼此并联路径的IGBT和MOSFET的半导体模块(功率模块)。

这种半导体模块是有利的，因为具有IGBT和MOSFET的优异特性。

当设计配备有IGBT和MOSFET二者的半导体模块时，要求抑制使得两个切换元件彼此热干扰的热影响(也称为热损伤)的发生。

响应于这种要求，JP 58563599中披露的半导体模块采用了一种结构，所述结构并不强制性地冷却具有高热阻的MOSFET，从而使得在MOSFET的温度变高时IGBT有可能接收来自MOSFET的热影响。

此外，在JP 5805513中披露的半导体模块中，当IGBT通电时电流流经MOSFET正下方的汇流条，并且在高温状态下MOSFET有可能接收来自所述汇流条的热影响。

发明内容

由于以上阐述的问题，提出了本发明，并且本发明的目的是提供一种半导体模块，其中的切换元件较不可能接收热影响。

半导体模块的一方面包括彼此并联连接并且被设置在同一引线框上的IGBT和MOSFET。所述IGBT和MOSFET中的任一者是第一切换元件并且剩下的一个是第二切换元件；并且所述第二切换元件被布置在与同一引线框中的所述第一切换元件的传导路径分开的位置。

半导体模块的另一方面包括多个半导体元件对，其IGBT和MOSFET彼此并联连接，所述半导体元件对在电源的高电势侧线路与低电势侧线路之间串联连接，并且被设置在同一引线框上。

所述多个半导体元件对中包含的多个IGBT或多个MOSFET中的任一者是多个第一切换元件并且其余的是多个第二切换元件。

所述多个第一切换元件在所述多个第二切换元件之前被驱动。

在所述多个半导体元件对之中的被布置在所述高电势侧线路与AC输出线路之间的半导体元件对中，所述第二切换元件被布置在与在所述高电势侧线路与经由所述第一切换元件在所述AC输出线路之间形成的传导路径分开的位置处。

在所述多个半导体元件对之中的被布置在所述低电势侧线路与所述AC输出线路之间的半导体元件对中，所述第二切换元件被布置在与经由所述第一切换元件在所述低电势侧线路与所述AC输出线路之间形成的传导路径分开的位置处。

在以上描述的第一方面的半导体模块中，所述第二切换元件较不可能受到第一切换元件被驱动时在所述第一切换元件的传导路径中产生的热量的热影响。

类似地，所述第一切换元件较不可能受到第二切换元件被驱动时在所述第二切换元件的传导路径中产生的热量的热影响。

也就是，可以抑制这两个切换元件可能对彼此造成的热影响发生影响。

在以上描述的第二方面的半导体模块中，由于所述第二切换元件不是布置在首先被驱动的第一切换元件的传导路径上，因此所述第二切换元件较不可能受到所述传导路径中产生的热量的热影响。

如上文描述的，根据以上描述的每个方面，能够提供一种半导体模块，其中的切换元件较不可能接收热影响。

附图说明