[发明专利]半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块，包括：

IGBT和MOSFET，其彼此并联连接并且被设置在同一引线框上；其中，

所述IGBT和MOSFET中的任一者是第一切换元件并且剩下的一个是第二切换元件；并且

所述第二切换元件被布置在与同一引线框中的所述第一切换元件的传导路径分开的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

所述半导体模块包括第一端子和第二端子，其彼此平行地从所述引线框延伸；并且

所述IGBT和所述MOSFET被并排安排在与所述第一端子和所述第二端子的延伸方向相交的方向上。

3.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，

所述第一切换元件在所述第二切换元件之前被驱动；并且

经由所述第一切换元件在所述第一端子与所述第二端子之间形成的传导路径的长度被配置成短于经由所述第二切换元件在所述第一端子与所述第二端子之间形成的传导路径的长度。

4.根据权利要求3所述的半导体模块，其中，

具有延伸至面向所述引线框的制冷剂通路的冷却器被附接至所述半导体模块上；并且

首先被驱动的所述第一切换元件被配置成，相对于在所述冷却器的所述制冷剂通路中的制冷剂的流，不是布置在所述第二切换元件的下游侧。

5.根据权利要求4所述的半导体模块，其中，

所述半导体模块被配置成使得，首先被驱动的所述第一切换元件，相对于在所述冷却器的所述制冷剂通路中的所述制冷剂的所述流，被布置在所述第二切换元件的上游侧。

6.一种半导体模块，包括：

多个半导体元件对，其IGBT和MOSFET彼此并联连接，所述半导体元件对在电源的高电势侧线路与低电势侧线路之间串联连接，并且被设置在同一引线框上；其中，

所述多个半导体元件对中所包含的多个IGBT或多个MOSFET是多个第一切换元件，并且其余的是多个第二切换元件；

所述多个第一切换元件在所述多个第二切换元件之前被驱动；

在所述多个半导体元件对之中的被布置在所述高电势侧线路与AC输出线路之间的半导体元件对中，所述第二切换元件被布置在与经由所述第一切换元件在所述高电势侧线路与所述AC输出线路之间形成的传导路径分开的位置处；并且

在所述多个半导体元件对之中的被布置在所述低电势侧线路与所述AC输出线路之间的半导体元件对中，所述第二切换元件被布置在与经由所述第一切换元件在所述低电势侧线路与所述AC输出线路之间形成的传导路径分开的位置处。

7.根据权利要求6所述的半导体模块，其中，

在所述高电势侧线路与所述低电势侧线路之间形成的依次穿过所述多个第一切换元件的传导路径的长度被配置成短于在所述高电势侧线路与所述低电势侧线路之间形成的依次穿过所述多个第二切换元件的传导路径的长度。

8.根据权利要求6所述的半导体模块，其中，

具有与所述引线框相对延伸的制冷剂通路的冷却器被附接至所述半导体模块；并且

在所述多个半导体元件对中的每一对中首先被驱动的所述第一切换元件被配置成，相对于在所述冷却器的所述制冷剂通路中的制冷剂的流，不是布置在所述第二切换元件的下游侧。

9.根据权利要求7所述的半导体模块，其中，

具有与所述引线框相对延伸的制冷剂通路的冷却器被附接至所述半导体模块；并且

在所述多个半导体元件对中的每一对中首先被驱动的所述第一切换元件被配置成，相对于在所述冷却器的所述制冷剂通路中的制冷剂的流，不是布置在所述第二切换元件的下游侧。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体模块，其中，

所述第一切换元件是由Si基材料构成的IGBT，并且所述第二切换元件是由宽带隙半导体材料构成的MOSFET。