[发明专利]半导体处理用组合物及处理方法在审
| 申请号： | 201710238028.2 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107353832A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 亀井康孝;羽山孝弘;西口直希;加茂理;篠田智隆 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 杨文娟,臧建明 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 组合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体处理用组合物，其为经浓缩的半导体处理用组合物，且所述半导体处理用组合物的特征在于：含有3×101个/mL～1.5×103个/mL的粒径为0.1μm～0.3μm的粒子。
2.根据权利要求1所述的半导体处理用组合物，其特征在于：其是稀释至1倍～500倍而使用。
3.一种半导体处理用组合物，其是不加稀释而使用，且所述半导体处理用组合物的特征在于：含有3×101个/mL～1.5×103个/mL的粒径为0.1μm～0.3μm的粒子。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体处理用组合物，其特征在于：还含有有机酸。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体处理用组合物，其特征在于：还含有水溶性高分子。
6.一种处理方法，其特征在于包括以下步骤：
使用根据权利要求1至5中任一项所述的半导体处理用组合物，对含有铜或钨作为配线材料且含有选自由钽、钛、钴、钌、锰及所述金属的化合物所组成的组群中的至少一种作为阻障金属材料的配线基板进行处理。
7.一种处理方法，其特征在于包括以下步骤：
在使用含有铁离子及过氧化物的组合物对含有钨作为配线基板的配线材料的所述配线基板进行化学机械研磨后，使用根据权利要求1至5中任一项所述的半导体处理用组合物进行处理。
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