[发明专利]半导体衬底的原位背面清洗

说明书

本发明提供了一种清洗半导体晶圆的方法和装置。在该方法的实施例中，提供了单晶圆清洗装置并且将晶圆设置在该装置中。将第一化学喷剂分布到晶圆的正面上。在分布第一化学喷剂的同时清洗晶圆的背面。清洗背面可以包括刷子和清洗液喷剂。还描述了一种用于清洗单个半导体晶圆的正面和背面的装置。本发明还提供了一种半导体衬底的原位背面清洗。

本申请是于2012年08月28日提交的申请号为201210311742.7的名称为“半导体衬底的原位背面清洗”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明大体上涉及的是半导体器件制造，更具体地涉及的是在制造过程中清洗半导体晶圆的方法。

背景技术

半导体器件制造发展的最新趋势包括引入额外的单晶圆清洗工艺。由于该单晶圆清洗工艺可以提供改进的清洗效率和工艺稳定性，因此替代了湿式工作台(wet-bench)类清洗方式。

然而，单晶圆清洗工具的问题在于无法清洗晶圆的背面。因此，通常需要额外的处理步骤来清洗半导体晶圆的背面。这就产生了与工具、厂房、周期时间等相关的额外费用。因此，需要一种能够改进这些问题中的一个或多个的单晶圆清洗制造工艺。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种装置，包括：晶圆定位器件，用于将半导体晶圆保持在第一位置中；第一晶圆清洗器件，设置所述第一位置的第一侧上，其中，所述第一晶圆清洗器件包括用于分布化学喷剂的第一喷嘴；以及第二晶圆清洗器件，设置所述第一位置的第二侧上，所述第二侧是所述第一位置的所述第一侧的相对侧，其中，所述第二晶圆清洗器件包括刷子。

在该装置中，所述第二晶圆清洗器件还包括：用于分布化学喷剂的第二喷嘴。

在该装置中，所述第二晶圆清洗器件还包括：用于分布化学喷剂的第三喷嘴。

在该装置中，所述刷子包含聚合物。

在该装置中，所述刷子包含聚乙烯醇(PVA)。

根据本发明的另一方面，提供了一种方法，包括：提供单晶圆清洗装置；将晶圆设置在所述单晶圆清洗装置中；将第一化学喷剂分布在所述晶圆的正面上；以及在分布所述第一化学喷剂的同时，清洗所述晶圆的背面。

在该方法中，清洗所述背面包括：分布第二化学喷剂。

在该方法中，所述第一化学喷剂和所述第二化学喷剂具有不同的成分。

在该方法中，清洗所述晶圆的背面包括：将所述晶圆的背面与刷子相接触。

在该方法中，在所述清洗过程中将所述刷子从所述晶圆的中心位置移动到所述晶圆的边缘位置。

在该方法中，清洗所述晶圆的背面包括：将所述晶圆的背面与刷子和第二化学喷剂相接触。

在该方法中，在所述清洗过程中将所述刷子从所述晶圆的中心位置移动到所述晶圆的边缘位置。

在该方法中，清洗所述背面包括：对来自第一喷嘴的第二化学喷剂和来自第二喷嘴的第三化学喷剂进行分布。

根据本发明的又一方面，提供了一种清洗半导体晶圆的方法，包括：将所述半导体晶圆设置在晶圆定位器件中；将刷条设置在邻近所述晶圆定位器件中的所述半导体晶圆的背面的位置上；在将所述半导体晶圆设置在所述晶圆定位器件中的同时，将第一喷剂分布在所述半导体晶圆的正面上；以及在将所述半导体晶圆设置在所述晶圆定位器件中的同时，使用刷条清洗所述半导体晶圆的所述背面。

在该方法中，所述刷条包括多个喷嘴，并且清洗所述半导体晶圆的背面包括：对来自所述多个喷嘴中的每个喷嘴的喷剂进行分布。