[发明专利]半导体衬底的原位背面清洗

权利要求书

1.一种清洗半导体晶圆的方法，包括：

通过晶圆定位器件对晶圆进行定位；

将第一化学品和原子化流体通过第一喷嘴分布在所述晶圆的正面上，以对所述正面进行清洗；以及

在分布所述第一化学品和原子化流体的同时，根据所述第一化学品和原子化流体的类型和温度，控制设置在第一刷条上的第二喷嘴向所述晶圆的背面喷出与所述类型和温度保持不同的第二化学品以清洗所述背面，其中，清洗所述背面还包括控制设置在第二刷条上的第三喷嘴向所述晶圆的背面喷出与所述第二化学品不同的第三化学品以清洗所述背面，

其中，所述第一刷条和所述第二刷条沿着相反的方向移动，使得所述第一刷条通过所述第二化学品清洗所述晶圆的背面的第一部分，所述第二刷条通过所述第三化学品清洗所述晶圆的背面的第二部分。

2.根据权利要求1所述的清洗半导体晶圆的方法，其中，所述第二化学品和/或所述晶圆的温度在23摄氏度和80摄氏度之间。

3.根据权利要求1所述的清洗半导体晶圆的方法，其中，所述第二化学品的类型包括，APM、去离子水、SC1、稀释的NH₄OH、SC2、臭氧去离子水、SPM、SOM、SPOM、H₃PO₄、稀释的氢氟酸、HF、HF/EG、HF/HNO₃、NH₄OH。

4.根据权利要求1所述的清洗半导体晶圆的方法，其中，所述晶圆定位器件用于控制所述晶圆的固定、旋转。

5.根据权利要求1所述的清洗半导体晶圆的方法，其中，所述晶圆定位器件、所述第一喷嘴和所述第二喷嘴包括在单晶圆清洗装置中，所述单晶圆清洗装置还包括超声波功能，用于清洗所述晶圆的正面和/或背面。

6.根据权利要求1所述的清洗半导体晶圆的方法，其中，所述原子化流体包括原子化的压力流体，所述原子化流体为原子化的氮流体。

7.根据权利要求1所述的清洗半导体晶圆的方法，其中，多个间隔开的所述第二喷嘴设置在基座上，以与所述基座一起形成不带刷子的所述第一刷条。

8.根据权利要求1所述的清洗半导体晶圆的方法，其中，所述第二喷嘴和多个刷毛设置在基座上，以与所述基座一起形成带刷子的所述第一刷条。

9.一种单晶圆清洗装置，包括：

晶圆定位器件，用于将半导体晶圆保持在第一位置中；

第一晶圆清洗器件，设置所述第一位置的第一侧上，其中，所述第一晶圆清洗器件包括用于分布第一化学品和原子化流体的第一喷嘴；以及

第二晶圆清洗器件，设置所述第一位置的第二侧上，所述第二侧是所述第一位置的所述第一侧的相对侧，其中，所述第二晶圆清洗器件包括利用设置在第一刷条上的第二喷嘴，所述第二喷嘴被控制为在分布所述第一化学品和原子化流体的同时，根据所述第一化学品和原子化流体的类型和温度，向所述半导体晶圆的背面喷出与所述类型和温度保持不同的第二化学品以清洗所述背面，其中，清洗所述背面还包括控制设置在第二刷条上的第三喷嘴向所述半导体晶圆的背面喷出与所述第二化学品不同的第三化学品以清洗所述背面，

其中，所述第一刷条和所述第二刷条沿着相反的方向移动，使得所述第一刷条通过所述第二化学品清洗所述半导体晶圆的背面的第一部分，所述第二刷条通过所述第三化学品清洗所述半导体晶圆的背面的第二部分。

10.根据权利要求9所述的单晶圆清洗装置，其中，所述第二化学品和/或所述半导体晶圆的温度在23摄氏度和80摄氏度之间。