[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：对侧墙层进行刻蚀，以在栅极结构侧壁上形成栅极侧墙，在鳍部的侧壁上形成遮挡侧墙；所述遮挡侧墙靠近所述隔离结构并远离所述鳍部顶部表面；之后对所述鳍部进行离子注入形成轻掺杂漏区域。由于受到所述遮挡侧墙的保护，被遮挡侧墙遮挡的鳍部底部受到离子掺杂的浓度较低，从而有效的防止了源漏穿通，更好的抑制了短沟道效应。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高元件密度，以及更高集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用，因此随着半导体器件元件密度和集成度的提高，平面晶体管的栅极尺寸也越来越小，传统的平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应，漏电流增大，最终影响半导体器件的电学性能。

为了进一步缩小MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)器件的尺寸，人们发展了多面栅场效应晶体管结构，以提高MOSFET器件栅极的控制能力，抑制短沟道效应。其中，鳍式场效应晶体管(FinFET)就是一种常见的多面栅结构晶体管。FinFET中，栅极至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，具有比平面MOSFET器件强得多的栅对沟道的控制能力，能够很好的抑制短沟道效应；且FinFET相对于其他器件，具有更好的现有的集成电路制作技术的兼容性。

然而，现有技术所形成鳍式场效应管的性能有待进一步提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以改善所形成半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：

提供基底，所述基底包括衬底及位于衬底上的多个鳍部；在所述鳍部之间形成隔离结构，所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分侧壁和部分顶部表面；形成覆盖所述栅极结构和所述鳍部的侧墙层；对所述侧墙层进行刻蚀，以在所述栅极结构的侧壁上形成栅极侧墙，并在鳍部靠近所述隔离结构的侧壁上形成遮挡侧墙；以所述栅极侧墙和所述遮挡侧墙为掩膜对所述鳍部进行注入工艺，在所述鳍部中形成轻掺杂漏区域。

可选的，所述侧墙层的材料是氮化硅。

可选的，所述遮挡侧墙的高度是100埃～350埃。

可选的，所述侧墙层的厚度是15埃～80埃。

可选的，形成所述遮挡侧墙采用的是干法刻蚀工艺。

可选的，所述干法刻蚀工艺的参数为：

CF₄:5SCCM～100SCCM,CH₃F:8SCCM～50SCCM,O₂:10SCCM～100SCCM,RF:50W～300W,DC＝30V～100V,4S～50S,10mtoor～2000mtoor。

可选的，所述衬底包括用于形成N型半导体的N型区域，对所述N型区域内的所述鳍部进行轻掺杂漏注入的离子包括AS/P，离子注入剂量在1.0E14atm/cm₃～1.0E16atm/cm₃。

可选的，所述衬底包括用于形成P型半导体的P型区域，对所述P型区域内的所述鳍部进行轻掺杂漏注入的离子包括B/BF2，离子注入剂量在1.0E14atm/cm₃～8.0E15atm/cm₃。

可选的，在所述鳍部中形成轻掺杂漏区域以后，所述形成方法还包括：去除所述遮挡侧墙；在所述栅极侧墙两侧的鳍部中形成源漏掺杂区。