[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底及位于衬底上的多个鳍部；

在所述鳍部之间形成隔离结构，所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部；

形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分侧壁和部分顶部表面；

形成覆盖所述栅极结构和所述鳍部的侧墙层；

对所述侧墙层进行刻蚀，以在所述栅极结构的侧壁上形成栅极侧墙，并在鳍部靠近所述隔离结构的侧壁上形成遮挡侧墙；

以所述栅极侧墙和所述遮挡侧墙为掩膜对所述鳍部进行注入工艺，在所述鳍部中形成轻掺杂漏区域。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的材料是氮化硅。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述遮挡侧墙的高度是100埃～350埃。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的厚度是15埃～80埃。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述遮挡侧墙采用的是干法刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的参数为：CF₄:5SCCM～100SCCM,CH₃F:8SCCM～50SCCM,O₂:10SCCM～100SCCM,RF:50W～300W,DC:30V～100V,4S～50S,10mtorr～2000mtorr。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底包括用于形成N型半导体的N型区域，对所述N型区域内的所述鳍部进行轻掺杂漏注入的离子包括AS或P，离子注入剂量在1.0E14atm/cm²～1.0E16atm/cm²。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述衬底包括用于形成P型半导体的P型区域，对所述P型区域内的所述鳍部进行轻掺杂漏注入的离子包括B或BF2，离子注入剂量在1.0E14atm/cm²～8.0E15atm/cm²。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述鳍部中形成轻掺杂漏区域以后，所述形成方法还包括：去除所述遮挡侧墙；在所述栅极侧墙两侧的鳍部中形成源漏掺杂区。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成所述源漏掺杂区的步骤包括：在所述栅极侧墙两侧的鳍部中形成应力层，并对所述应力层进行离子注入。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，对所述应力层进行离子注入之后，进行退火处理，在栅极侧墙两侧的鳍部中形成源漏掺杂区。