[发明专利]一种内绝缘封装结构的制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种内绝缘封装结构的制造工艺，属于半导体封装技术领域。

背景技术

由于大功率MOS管发热量较大，而散热效果的优劣可以直接影响MOS管及设备的稳定性，因此通常会在大功率MOS管背面贴装散热器以提高大功率三极管的散热效率。然而，为保证其应用于高压环境中的大功率MOS管的绝缘性能，需要在制造的过程中采用绝缘措施将引线框架与散热器隔开。最常见的方法是把陶瓷片贴装于引线框架与散热器之间。这种绝缘措施有以下缺点：

1、陶瓷片的绝缘的绝缘性市场上优劣不等，需要繁琐的检验流程确定其绝缘性；

2、陶瓷片装片时如发生斜管将直接导致，芯片离载片台的距离不等，绝缘效果也不等；

3、陶瓷片的制作流程繁琐，市场价格昂贵。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种内绝缘封装结构的制造工艺，它能够解决传统陶瓷片绝缘价格昂贵的问题和绝缘性不可控的限制。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种内绝缘封装结构的制造工艺，所述工艺包括如下步骤：

步骤一、取一引线框架，引线框架包含载片台和引脚；

步骤二、在步骤一引线框架的载片台上涂覆粘结物质或焊料，然后在粘结物质或焊料上植入芯片；

步骤三、在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业；

步骤四、提供一散热片，散热片背面设有锁胶台阶；

步骤五、在散热片上表面贴上ABF膜；

步骤六、将步骤三完成键合金属线作业的引线框架与ABF膜贴合在一起，使载片台下表面与散热片上表面的ABF膜贴合在一起，并进行热固化作业；

步骤七、利用塑封料进行塑封作业；

步骤八、将步骤七完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业，使原本阵列式的塑封体切割或是冲切独立开来，制得一种内绝缘封装结构。

步骤一中的载片台上设有V形槽。

所述金属线的材料采用金、银、铜、铝或是合金材料。

所述金属丝的形状是丝状或是带状。

所述塑封料采用与ABF膜材质相同的材料。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

1、本发明一种内绝缘封装结构的制造工艺，它通过塑封料进行绝缘，工艺简单，绝缘结构制造成本低；

2、本发明散热片和载片台之间的绝缘层厚度可按需求进行调整，其绝缘效果可控；

3、本发明能够解决传统陶瓷片绝缘价格昂贵的问题和绝缘性不可控的限制，另外，本发明绝缘层材料（ABF膜）和塑封料材质属性一致，两者结合优良，可以更好实现热传递。

附图说明

图1~图8为本发明一种内绝缘封装结构的制造工艺的各工序流程图。

其中：

引线框架1

引脚1.1

载片台1.2

芯片2

粘结物质或焊料3

焊线4

散热片5

V形槽6

锁胶台阶7

ABF膜8

模具9

塑封料10。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。

本实施例中的一种内绝缘封装结构的制造工艺，它包括如下步骤：

步骤一、参见图1，取一引线框架1，引线框架包含载片台1.1和引脚1.2，载片台1.1上设有V形槽6；

步骤二、参见图2，在步骤一引线框架1的载片台1.1上涂覆粘结物质或焊料，然后在粘结物质或焊料上植入芯片；

步骤三、参见图3，在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属线作业，所述金属线的材料采用金、银、铜、铝或是合金的材料，金属丝的形状可以是丝状也可以是带状；

步骤四、参见图4，提供一散热片，散热片背面设有锁胶台阶；

步骤五、参见图5，在散热片上表面贴上ABF膜；

步骤六、参见图6，将步骤三完成键合金属线作业的引线框架与ABF膜贴合在一起，使载片台下表面与散热片上表面的ABF膜贴合在一起，并进行热固化作业；

步骤七、参见图7，利用塑封料进行塑封作业，所述塑封料可采用与ABF膜材质相同的材料；

步骤八、参见图8，将步骤七完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业，使原本阵列式的塑封体切割或是冲切独立开来，制得一种内绝缘封装结构。

除上述实施例外，本发明还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本发明权利要求的保护范围之内。