[发明专利]一种具有台阶结构的封装芯片以及加工工艺

说明书

[技术领域]

本发明涉及封装芯片加工技术领域，尤其涉及一种加工精确度高，有利于节省成本，且整个加工过程实现无水处理的具有台阶结构的封装芯片以及加工工艺。

[背景技术]

近些年，智能产品市场的发展异常火热，给人们的生活带来了很大的便捷，也大幅度提高了人们的生活水平，然而，由于智能手机与平板电脑等电子空间越来越紧凑，其机体内部的器件也需要不断的往超薄，超小的方向去发展，并实现局部的减薄与中间镂空等成型要求，甚至有2D平面的加工往3D多维的方向去发展，这样的情况就对实际的产品零部件布局设置，具体加工工艺带来了很大的挑战，目前此方面的技术还不够成熟，有的加工精确度不够高，无法适应较小空间的加工，有的加工过程需要水洗或降温，间接的提高了加工难度。

基于上述问题，怎么才能有效的提高产品加工的精确的和生产效率，满足实际需求，本领域的技术人员进行了大量的研发和实验，并取得了较好的成绩。

[发明内容]

为克服现有技术所存在的问题，本发明提供一种加工精确度高，有利于节省成本，且整个加工过程实现无水处理的具有台阶结构的封装芯片以及加工工艺。

本发明解决技术问题的方案是提供一种具有台阶结构的封装芯片以及加工工艺，包括环氧树脂基层以及形成于该环氧树脂基层上的绝缘油墨层；在所述环氧树脂基层内部设置有芯片晶圆，且在绝缘油墨层中形成有绝缘玻璃纤维层以及电路铜箔层；所述绝缘玻璃纤维层设置于电路铜箔层的中间部位，电路铜箔层与芯片晶圆通过金线连接；所述绝缘油墨层以及绝缘玻璃纤维层的两端分别与环氧树脂基层表面形成两台阶面。

优选地，所述绝缘油墨层表面与环氧树脂基层表面的高度差范围为0.15-0.3mm。

优选地，所述环氧树脂基层上侧靠近芯片晶圆部位向上延伸出一延伸部，该延伸部穿过绝缘油墨层后与电路铜箔层接触，连接电路铜箔层与芯片晶圆的金线经过环氧树脂基层上侧的延伸部与电路铜箔层接触。

优选地，所述电路铜箔层分为上电路铜箔层以及下电路铜箔层，绝缘玻璃纤维层形成于该上电路铜箔层与下电路铜箔层之间；所述绝缘油墨层分为上绝缘油墨层以及下绝缘油墨层，且绝缘玻璃纤维层和电路铜箔层形成于该上绝缘油墨层和下绝缘油墨层之间。

一种具有台阶结构封装芯片的加工工艺，包括以下步骤，

S1：预备带有若干个并列设置的芯片单元的待加工PCB电路板，且在该PCB电路板上手动贴附保护膜；

S2：在PCB电路板上的各芯片单元周围镭射沟道，且控制沟道的宽度范围在250-350微米之间；清除切割屑；

S3：清洁步骤S2沟道镭射完成的PCB电路板，且沿着各芯片单元周围的沟道铣出设定深度的台阶面；控制台阶面的宽度大于台阶深度0.15mm；

S4：清洁步骤S3加工完毕的PCB电路板，采用激光切割成型单个芯片单元；制备完成。

优选地，所述步骤S1中保护膜的厚度范围为195-205微米。

优选地，所述步骤S2中，镭射沟道深度的公差范围为+/-0.02mm；且镭射完成后的PCB电路板油墨面积尺寸的偏移度公差范围为+/-0.03mm。

优选地，所述步骤S4中，在利用激光切割成型单个芯片时，PCB电路板的尺寸中心度偏移度为+/-0.035mm。

与现有技术相比，本发明一种具有台阶结构的封装芯片以及加工工艺通过在绝缘油墨层以及绝缘玻璃纤维层的两端形成与环氧树脂基层表面相对应的两台阶面，实际生产加工过程中，采用具有较高精确度的CNC铣该台阶面，可以满足较高的工艺要求，本设计实际可以达到的效果为实现无损及无水加工，保证整个加工过程的高强度和高精度，且达到较好的减少操作人员的目的，降低生产成本，随着目前智能手机与平板电脑等电子空间越来越紧凑，大多数器件逐渐往超薄、超小的方向发展，尤其是在加工过程中陆续采用局部减薄或中间镂空等成型方式，亦或者从2D平面的加工往3D多维的方向改变，本设计即可较好的迎合行业的发展要求，且最终获得较好的加工和使用效果。

[附图说明]

图1是传统结构封装芯片的层状结构示意图。

图2是本发明一种具有台阶结构的封装芯片的层状结构示意图。

图3是本发明一种具有台阶结构的封装芯片所对应的载板立体结构示意图。

图4是本发明一种具有台阶结构封装芯片的加工工艺流程图。

[具体实施方式]