[发明专利]一种射频芯片连接片总成及其制备工艺

说明书

技术领域

本发明涉及射频技术领域，具体的说，是涉及一种射频芯片连接片总成及其制备工艺。

背景技术

传统的芯片连接片采用PET复合铝箔膜。这种结构的芯片连接片在制作过程中，通过化学刻蚀工艺，无用的铝箔被化学流体腐蚀掉，留下的铝箔图形成为芯片桩脚的电气连接片。这种化学刻蚀加工方法有如下缺陷：利用化学流体腐蚀铝箔，产生大量废水污染环境；制做过程复杂，导致制做成本高；由于铝箔的底层PET膜的厚度大于40微米，芯片连接片总成压合在射频天线上后，PET底膜的厚度高出天线40微米以上，导致射频天线-芯片嵌合体(INLAY)表面有一个40微米高的凸起，影响制成品(如射频标签)的表面平整度和外观。

上述缺陷，值得改进。

发明内容

为了克服现有的技术的不足，本发明提供一种射频芯片连接片总成及其制备工艺。

本发明技术方案如下所述：

一种射频芯片连接片总成，其特征在于，包括PET-铝箔复合膜和射频芯片，所述PET-铝箔复合膜包括芯片桩脚连接铝箔和PET底膜，所述芯片桩脚连接铝箔和所述PET底膜之间通过复合胶水连接，所述射频芯片与所述芯片桩脚连接铝箔固定并电气连接。

根据上述方案的本发明，其特征在于，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述芯片桩脚连接铝箔的厚度为9-15微米。

根据上述方案的本发明，其特征在于，所述射频芯片连接总成与所述射频天线铝箔连接后，所述射频芯片对准所述射频天线铝箔上的谐振腔，并且所述芯片桩脚连接铝箔与所述射频天线铝箔之间通过导电胶固定连接，所述PET底膜与所述芯片桩脚连接铝箔之间分离。

进一步的，所述射频天线铝箔固定在射频天线铝箔底纸/膜上。

一种射频芯片连接片总成的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：制作PET-铝箔复合膜；

S2：在所述PET-铝箔复合膜上激光切出与芯片桩脚连接片相对应的图形，使得芯片桩脚连接片铝箔与无用铝箔之间形成激光切割缝；

S3：沿着所述激光切割缝剥去所述无用铝箔，成为芯片连接片卷材；

S4：在所述芯片桩脚连接铝箔上安装射频芯片，成为射频芯片连接片总成。

根据上述方案的本发明，其特征在于，在步骤S1中，在PET底膜上涂布复合胶水，然后在所述复合胶水上复合一层铝箔。

进一步的，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述铝箔的厚度为9-15微米。

根据上述方案的本发明，其特征在于，在步骤S4中，将所述芯片连接片卷材安装在芯片倒封装机上；控制所述射频芯片对准所述芯片桩脚连接片铝箔的中心位置；依托导电胶将所述射频芯片固定在所述芯片桩脚连接片铝箔上，所述射频芯片与所述芯片桩脚连接片铝箔电气连接后，形成所述射频芯片连接片总成。

根据上述方案的本发明，其特征在于，还包括步骤S5：所述芯片连接片总成安装在射频天线铝箔上，具体的，

S51：在射频天线铝箔底纸/膜上的射频天线铝箔上开谐振腔；

S52：在靠近所述谐振腔的所述射频天线铝箔的端口上方涂导电胶；

S53：将所述射频芯片连接片总成中的所述射频芯片对准所述谐振腔的位置；

S54：将热压头向下对准所述芯片桩脚连接铝箔，将所述芯片桩脚连接铝箔与所述导电胶压合在一起；

S55：将所述热压头抬起，所述导电胶与所述芯片桩脚连接铝箔贴合在一起；

S56：所述芯片连接片卷材收卷，在所述芯片连接片卷材的拉力作用下，所述复合胶水开裂，所述PET底膜与所述芯片桩脚连接铝箔分离，所述芯片连接片总成与所述射频天线铝箔对接安装完成；

S57：所述PET底膜前行，进行下一个所述芯片连接片总成与所述射频天线铝箔的对接安装。

根据上述方案的本发明，其有益效果在于，本发明方便制做纵向芯片连接片、横向芯片连接片以及3D芯片连接片。本发明采用激光切割铝箔工艺，没有化学刻蚀液，不产生废水；激光切割工艺简单，制做成本低；本发明在射频天线铝箔上安装射频芯片的同时收卷PET底膜，芯片连接片上没有PET膜，确保芯片与天线嵌合体(INLAY)表面安装平整，无PET膜凸起，整体厚度小。

附图说明

图1为本发明芯片连接片总称安装在射频天线上的示意图。

图2为本发明PET-铝箔复合膜材料的结构示意图。

图3为本发明实施例一中激光切割铝箔的示意图。

图4为本发明实施例一中排除无用铝箔后的示意图。