[发明专利]一种射频芯片连接片总成及其制备工艺

权利要求书

1.一种射频芯片连接片总成，其特征在于，包括PET-铝箔复合膜和射频芯片，所述PET-铝箔复合膜包括芯片桩脚连接铝箔和PET底膜，所述芯片桩脚连接铝箔和所述PET底膜之间通过复合胶水连接，所述射频芯片与所述芯片桩脚连接铝箔固定并电气连接。

2.根据权利要求1所述的，射频芯片连接片总成，其特征在于，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述芯片桩脚连接铝箔的厚度为9-15微米。

3.根据权利要求1所述的，射频芯片连接片总成，其特征在于，所述射频芯片连接总成与所述射频天线铝箔连接后，所述射频芯片对准所述射频天线铝箔上的谐振腔，并且所述芯片桩脚连接铝箔与所述射频天线铝箔之间通过导电胶固定连接，所述PET底膜与所述芯片桩脚连接铝箔之间分离。

4.根据权利要求3所述的，射频芯片连接片总成，其特征在于，所述射频天线铝箔固定在射频天线铝箔底纸/膜上。

5.一种射频芯片连接片总成的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：制作PET-铝箔复合膜；

S2：在所述PET-铝箔复合膜上激光切出与芯片桩脚连接片相对应的图形，使得芯片桩脚连接片铝箔与无用铝箔之间形成激光切割缝；

S3：沿着所述激光切割缝剥去所述无用铝箔，成为芯片连接片卷材；

S4：在所述芯片桩脚连接铝箔上安装射频芯片，成为射频芯片连接片总成。

6.根据权利要求5所述的射频芯片连接片总成的制备工艺，其特征在于，在步骤S1中，在PET底膜上涂布复合胶水，然后在所述复合胶水上复合一层铝箔。

7.根据权利要求6所述的射频芯片连接片总成的制备工艺，其特征在于，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述铝箔的厚度为9-15微米。

8.根据权利要求5所述的射频芯片连接片总成的制备工艺，其特征在于，在步骤S4中，将所述芯片连接片卷材安装在芯片倒封装机上；控制所述射频芯片对准所述芯片桩脚连接片铝箔的中心位置；依托导电胶将所述射频芯片固定在所述芯片桩脚连接片铝箔上，所述射频芯片与所述芯片桩脚连接片铝箔电气连接后，形成所述射频芯片连接片总成。

9.根据权利要求5所述的射频芯片连接片总成的制备工艺，其特征在于，还包括步骤S5：所述芯片连接片总成安装在射频天线铝箔上，具体的，

S51：在射频天线铝箔底纸/膜上的射频天线铝箔上开谐振腔；

S52：在靠近所述谐振腔的所述射频天线铝箔的端口上方涂导电胶；

S53：将所述射频芯片连接片总成中的所述射频芯片对准所述谐振腔的位置；

S54：将热压头向下对准所述芯片桩脚连接铝箔，将所述芯片桩脚连接铝箔与所述导电胶压合在一起；

S55：将所述热压头抬起，所述导电胶与所述芯片桩脚连接铝箔贴合在一起；

S56：所述芯片连接片卷材收卷，在所述芯片连接片卷材的拉力作用下，所述复合胶水开裂，所述PET底膜与所述芯片桩脚连接铝箔分离，所述芯片连接片总成与所述射频天线铝箔对接安装完成；

S57：所述PET底膜前行，进行下一个所述芯片连接片总成与所述射频天线铝箔的对接安装。