[发明专利]半导体圆片级封装方法及封装用刀具有效
申请号: | 201710166719.6 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN107093579B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/304;H01L23/544;B28D5/04 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 圆片级 封装 方法 刀具 | ||
1.一种半导体圆片级封装方法,其特征在于,包括:
提供半导体圆片,所述圆片设有若干矩阵排列的芯片,所述芯片之间设有划片槽;所述圆片包括正面及背面,所述芯片的正面即所述圆片的正面,所述芯片的背面即所述圆片的背面;
使用刀片端部具有凸肋的刀片对所述圆片的划片槽底部进行第一次切割以形成凹槽,所述凸肋在所述凹槽底部形成对准标识,所述对准标识与所述凹槽侧壁间隔设置;
对准所述对准标识对所述圆片进行第二次切割,以分裂所述圆片;
其中,所述刀片的所述刀片端部为“凸”字型结构,所述刀片的刀片端部的线槽中每个角的角度均为90°,所述刀片在所述圆片上切割形成的所述凹槽的中部为一凹陷结构,所述对准标识为所述凹陷结构的两条侧壁。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对准所述对准标识对所述圆片进行第二次切割之前包括:
在所述圆片的正面形成塑封层,所述塑封层填充所述凹槽;
研磨所述圆片的背面直至暴露出所述凹陷结构内填充的所述塑封层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,
所述对准所述对准标识对所述圆片进行第二次切割之前包括:在研磨后的所述圆片的背面形成背胶层。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
所述对准所述对准标识对所述圆片进行第二次切割包括:从所述圆片的正面对准所述对准标识进行切割,直至切割掉所述对准标识边界内的所述背胶层。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
所述对准所述对准标识对所述圆片进行第二次切割包括:从所述圆片的背面对准所述对准标识进行切割,直至切割掉所述对准标识边界内的所述塑封层。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述圆片的正面形成塑封层之前包括:
提供所述芯片,所述芯片表面设有焊盘;
在所述焊盘表面形成种子层;
在所述种子层表面形成掩膜层,并在所述掩膜层对应所述焊盘的位置设置开口;
在所述开口内形成金属端子;
去除所述掩膜层以及所述金属端子以外的所述种子层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,
所述在所述圆片的正面形成塑封层包括:在所述圆片的正面形成塑封层,并使所述塑封层覆盖所述金属端子。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述圆片的正面形成塑封层之后包括:
研磨所述塑封层以使所述金属端子表面裸露;在所述金属端子表面设置焊球或形成焊接层。
9.一种半导体圆片级封装用刀具,其特征在于,包括:
刀片,所述刀片的端部设有用于在所述圆片的划片槽底部形成对准标识的留痕部,所述留痕部与所述刀片的端部两对侧间隔设置;
其中,所述留痕部为凸肋,所述刀片的刀片端部的线槽中每个角的角度均为90°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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