[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板，其包括：

第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；

中央导电图案，其在所述第一基板侧面处；

边缘结构，位于所述多个周边基板侧面处，其中所述边缘结构包括：

经单粒化周边表面，其完全围绕所述基板的周边延伸；

第一导电层，其在所述第一基板侧面处而且在所述多个周边基板侧面的第一周边基板侧面处；以及

第二导电层，其在所述第二基板侧面处并且直接连接至所述第一导电层；以及

介电层，其横向围绕所述中央导电图案；

其中，所述边缘结构的所述第一导电层沿着所述第一基板侧面延伸并且从所述介电层横向延伸第一距离，并且其中所述边缘结构的所述第二导电层沿着所述第二基板侧面延伸并且从所述介电层横向延伸第二距离，所述第二距离与所述第一距离不同；

半导体晶粒，其包括：

第一晶粒侧面；

第二晶粒侧面，其与所述第一晶粒侧面相反，所述第二晶粒侧面耦接至所述第一基板侧面；

多个周边晶粒侧面，其延伸在所述第一晶粒侧面与所述第二晶粒侧面之间；以及

导电的互连结构，其将所述半导体晶粒电连接至所述中央导电图案。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括囊封体，所述囊封体在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面和所述第二晶粒侧面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括导电贯孔，其从所述中央导电图案直接延伸至所述第二基板侧面。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电层以及所述第二导电层中的一层是直接电镀在所述第一导电层以及所述第二导电层中的另一层上。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括所述第一导电层的连续的带环绕所述多个周边基板侧面的整个周边。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电层在所述第一周边基板侧面处露出。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一周边基板侧面是完全由所述边缘结构的所述经单粒化周边表面中的一个或多个所构成。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述边缘结构的所述第二导电层比所述边缘结构的所述第一导电层较厚。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括连接器图案，其连接所述中央导电图案以及所述边缘结构。

10.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，包括：

囊封体，其直接接触并且覆盖至少所述多个周边晶粒侧面；

其中，所述囊封体的相应外周边表面与所述边缘结构的相应外周边表面共平面。

11.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板，其包括：

第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的多个周边基板侧面；

中央导电图案，其在所述第一基板侧面处露出；

边缘结构，其在所述多个周边基板侧面处露出，其中所述边缘结构包括多个经单粒化周边侧面，所述多个经单粒化周边侧面完全围绕由所述多个周边基板侧面限定的基板周边延伸；以及

介电层，其横向围绕所述中央导电图案；以及

半导体晶粒，其耦接至所述第一基板侧面；

其中，所述边缘结构包括在所述多个周边基板侧面的第一周边基板侧面处露出的第一导电层和第二导电层；

其中，所述第一导电层从所述第一周边基板侧面延伸并且沿着所述第一基板侧面延伸第一距离；以及

其中，所述第二导电层从所述第一周边基板侧面延伸并且沿着所述第二基板侧面延伸第二距离，所述第二距离比所述第一距离短。