[发明专利]有机发光二极管显示器在审
申请号: | 201710103971.2 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN108511478A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 倪杰;熊娜娜 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光二极管显示器 基板 源区 布线 亮度均匀性 电压分布 电源电压 封闭图形 显示画面 显示面板 不均匀 环绕 施加 | ||
本发明涉及一种可以抑制显示面板上的电压分布不均匀现象的有机发光二极管显示器,从而实现显示画面的亮度均匀性,上述的有机发光二极管显示器包括一个基板和位于基板之上的一个有源区,以及同样形成于该基板上且环绕在有源区周边形成一封闭图形的环形布线,为有源区提供的电源电压施加在环形布线上。
技术领域
本发明主要是关于显示器领域,更确切地说,是涉及一种可以抑制显示面板上的电压分布不均匀现象的有机发光二极管显示器,从而实现显示画面的亮度均匀性。
背景技术
在平板显示器领域,由于有机发光二极管器件不需要另外的光源就能够发光,其视角和对比度较之常规的例如液晶显示器要优秀很多。有机发光二极管器件能够用较低的直流电驱动,并且具有快速响应的特点。在控制像素电路的发光程序中,除了要产生像素电路阵列的行选通控制信号之外,为了更精准的定义流入有机发光二极管的驱动电流,设计人员在进行像素电路设计时就会考虑加入对驱动电流进行控制的发光控制单元,期望能够有效避免在数据写入像素电路过程中可能造成的像素电流不稳定的负面因素,从而不至于引起像素电路中因为流经发光二极管的纹波电流造成的闪烁感。在AMOLED像素电路中的电源电压ELVDD的值直接影响着OLED的器件上的电流大小,进而影响OLED发光亮度及稳定性。随着产品的显示器尺寸增大,电源电压ELVDD的电压下降(IR Drop)就变得越来越严重,使得ELVDD在面板上的电压分布变得不均匀,从而影响显示画面的亮度均匀性,如何降低ELVDD的电压下降(IR Drop)是我们需要解决的问题之一。
中国专利申请CN103839520A中公开了一种像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置,以提高亮度均匀性。该发明中像素电路包括控制子电路、补偿子电路、驱动晶体管和发光器件,其中一个补偿子电路在控制子电路的控制下完成电位复位,并用于存储驱动晶体管的阈值电压,以在驱动晶体管驱动发光器件发光时补偿驱动晶体管的阈值电压,通过该申请使得驱动发光器件发光的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压没有关系,改善面板的显示均匀性,这是从阈值电压的角度来考虑平衡面板的显示特性。
中国专利申请CN1825421A公开了一种面板区域不均匀性补偿装置与方法,在显示面板上定义出多个显示区域,其中显示区域各具有一面板特性数据,当接收一个像素数据时需要判断此像素数据是对应于显示区域之中哪一个,从而根据此像素数据所对应的显示区域的面板特性数据,并校正像素数据,从而最终可以将校正后的像素数据传送至指定的显示面板来改善显示效果。美国专利申请US2014085582A1公开了一种像素区域与材料优化设计的切换式液晶显示面板,包括设置有多个像素区域的主动元件阵列基板、一对基板以及液晶层,其中像素区域包含多个第一共同电极、与水平方向上邻接的另一个像素区域之间的第二共同电极、以及一个像素电极。通过操控主动元件阵列基板上像素区域的电极线的相对位置的设计,在该液晶显示面板的液晶层中,采用预定范围数值的液晶材料性质,改变穿透率以及像素区域中不同位置的透光均匀度。
现有技术的主要矛盾是当像素电源线的尺寸较长时,像素电路的电源会产生较大的电压下降(IR Drop)从而造成严重的灰度不均,在已经公开的文献中,主要是采用增加电路来补偿阈值电压和IR Drop的方式,消除因为晶体管的阈值电压和IR Drop造成的显示短程和长程不均的问题,或者是采用不同显示材料来改变显示均匀性,这些措施因为额外的元件或造价高昂的材料而给产品带来成本问题,而且对显示器的亮度均匀性的补偿效果也欠佳。本发明在下文中将介绍如何降低ELVDD的电压下降来改善亮度均匀性。
发明内容
在一个可选实施例中,本发明提供了一种有机发光二极管显示器,包括一个基板和位于所述基板之上的一个有源区,以及同样形成于所述基板上且环绕在所述有源区周边的环形布线,其中所述环形布线沿所述有源区周边形成一封闭图形。
上述的有机发光二极管显示器,其中,为所述有源区提供的电源电压施加在所述环形布线上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的