[发明专利]半导体晶片的制造方法在审
申请号: | 201710103704.5 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN108511417A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 长田达弥 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;郑冀之 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体晶片 晶片群 晶块 托架 制造 半导体单晶 半导体晶体 加工信息 晶片载置 晶体加工 切片工序 位置建立 制造信息 多片 切出 关联 赋予 | ||
本发明的目的在于提供一种具有用于简单地获取各种制造信息的识别标记的半导体晶片的制造方法。本发明的一方式所涉及的半导体晶片的制造方法具有:晶体加工工序,由半导体晶体获得晶块;切片工序,切出所述晶块,获得由多片半导体晶片构成的晶片群;晶片载置工序,将构成所述晶片群的所述半导体晶片以规定的顺序载置于托架内,并将所述半导体晶片在所述托架内的位置与所述半导体晶片在所述晶片群中的位置建立关联;及标识工序,按照所述半导体晶片在所述托架内的排列顺序,对所述半导体晶片的每一个赋予识别标记,所述识别标记中包含所述半导体单晶锭、所述晶块及所述半导体晶片的加工信息。
技术领域
本发明涉及一种半导体晶片的制造方法。
背景技术
ULSI等超高集成器件的形成基板即硅晶片通过对利用切克劳斯基(CZ)法提拉的单晶硅锭实施晶片加工而制作。具体而言,将单晶硅锭切割成块,然后对硅块依次进行利用磨削砂轮的外周磨削、利用钢丝锯的切片,从而获得多片硅晶片。接着,对各硅晶片依次进行倒棱、抛光、蚀刻、研磨来制作器件形成用的产品晶片。
以往,以单晶硅锭为起始材料的各晶片加工中的硅晶片的管理方法一般以将数10片~数100片的硅晶片作为一捆的批次单位进行(例如专利文献1)。
专利文献1:日本特开2001-358199号公报
然而,基于专利文献1的硅晶片的管理方法是如此以批次单位管理晶片的技术。因此,无法获取特定的硅晶片何时从提拉的单晶硅锭的哪个位置切片,然后,使用哪个晶片加工装置(热处理装置等),何时在哪种条件(热处理条件等)下加工等晶片单位的信息。
因此,只能获取批次单位的信息,无法充分追踪硅晶片的缺陷原因等,无法以高精确度进行最佳的品质改善。
发明内容
因此,本发明人进行深入研究的结果,发现通过利用ID对由半导体晶体(晶锭)获得的晶块的信息及由晶块获得的半导体晶片的信息分别进行单片式管理,能够追踪半导体晶片何时从哪个半导体晶体获得的晶体信息、从哪个晶块的哪个位置切片的位置信息、以及晶体加工工序及切片工序时的加工信息,从而完成了该发明。
权利要求1所述的发明具有:晶体加工工序,由半导体单晶锭获得晶块;切片工序,切出所述晶块,获得由多片半导体晶片构成的晶片群;晶片载置工序,将构成所述晶片群的所述半导体晶片以规定的顺序载置于托架内,并将所述半导体晶片在所述托架内的位置与所述半导体晶片在所述晶片群中的位置建立关联;及标识工序,按照所述半导体晶片在所述托架内的排列顺序,对所述半导体晶片的每一个赋予识别标记。识别标记中包含所述半导体单晶锭、所述晶块及所述半导体晶片的加工信息。
该半导体晶片的制造方法中,将半导体晶片按照规定的顺序载置于托架内。因此,半导体晶片即使在载置于托架内的阶段也不会失去从晶片群及晶块中的哪个位置获得、晶块从哪个半导体晶体获得等信息而进行保持。因此,仅通过按照半导体晶片在托架内的排列顺序对半导体晶片的每一个赋予识别标记,识别标记就会包含各种制造信息。由此,能够容易使半导体晶片的制造履历保留在半导体晶片中,还能够根据识别标记追踪制造履历。
权利要求2所述的发明中,按照从晶块切割的晶片群刚切割之后的排列顺序,将所述半导体晶片载置于所述托架内。
根据该半导体晶片的制造方法,以从晶块切割半导体晶片的顺序,在托架内载置半导体晶片。因此,能够将半导体晶片在托架内的位置信息替换成半导体晶片在晶块中的位置信息。因此,能够更简单地获得半导体晶片与晶块的对应关系。
权利要求3所述的发明中,在所述切片工序之后具有对所述半导体晶片进行晶体评价的晶体评价工序,以所述晶体评价工序中测定出的所述半导体晶片的电阻值顺序,将所述半导体晶片载置于所述托架内。
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