[发明专利]半导体晶片的制造方法在审

专利信息
申请号: 201710103704.5 申请日: 2017-02-24
公开(公告)号: CN108511417A 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 长田达弥 申请(专利权)人: 胜高股份有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 胡莉莉;郑冀之
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体晶片 晶片群 晶块 托架 制造 半导体单晶 半导体晶体 加工信息 晶片载置 晶体加工 切片工序 位置建立 制造信息 多片 切出 关联 赋予
【权利要求书】:

1.一种半导体晶片的制造方法,其具有:

晶体加工工序,由半导体单晶锭获得晶块;

切片工序,切出所述晶块,获得由多片半导体晶片构成的晶片群;

晶片载置工序,将构成所述晶片群的所述半导体晶片以规定的顺序载置于托架内,并将所述半导体晶片在所述托架内的位置与所述半导体晶片在所述晶片群中的位置建立关联;及

标识工序,按照所述半导体晶片在所述托架内的排列顺序,对所述半导体晶片的每一个赋予识别标记,

所述识别标记中包含所述半导体单晶锭、所述晶块及所述半导体晶片的加工信息。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法,其中,

按照从晶块切割的晶片群刚切割之后的排列顺序,将所述半导体晶片载置于所述托架内。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法,其中,

在所述切片工序之后具有进行所述半导体晶片的晶体评价的晶体评价工序,

以所述晶体评价工序中测定出的所述半导体晶片的电阻值顺序,将所述半导体晶片载置于所述托架内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司,未经胜高股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710103704.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top