[发明专利]半导体晶片的制造方法在审
申请号: | 201710103704.5 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN108511417A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 长田达弥 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;郑冀之 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体晶片 晶片群 晶块 托架 制造 半导体单晶 半导体晶体 加工信息 晶片载置 晶体加工 切片工序 位置建立 制造信息 多片 切出 关联 赋予 | ||
1.一种半导体晶片的制造方法,其具有:
晶体加工工序,由半导体单晶锭获得晶块;
切片工序,切出所述晶块,获得由多片半导体晶片构成的晶片群;
晶片载置工序,将构成所述晶片群的所述半导体晶片以规定的顺序载置于托架内,并将所述半导体晶片在所述托架内的位置与所述半导体晶片在所述晶片群中的位置建立关联;及
标识工序,按照所述半导体晶片在所述托架内的排列顺序,对所述半导体晶片的每一个赋予识别标记,
所述识别标记中包含所述半导体单晶锭、所述晶块及所述半导体晶片的加工信息。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法,其中,
按照从晶块切割的晶片群刚切割之后的排列顺序,将所述半导体晶片载置于所述托架内。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法,其中,
在所述切片工序之后具有进行所述半导体晶片的晶体评价的晶体评价工序,
以所述晶体评价工序中测定出的所述半导体晶片的电阻值顺序,将所述半导体晶片载置于所述托架内。
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