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[发明专利]半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件-CN201910140377.X在审
发明人： J.A.金;元裕镐;金星祐;金泰亨;李晶姬;张银珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；包围所述芯的第一壳，所述第一壳包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成；包围所述第一壳的第二壳，所述第二壳包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙；和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。
半导体纳米晶体能带隙发光器件量子点包围制造

[发明专利]半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法-CN201310254899.5有效
发明人：山崎史郎;永井诚二;守山实希 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备，该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩锅有效移除半导体晶体；并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括：坩锅支撑件，用于支撑所述坩锅，使得所述坩锅的开口被定向为朝下；加热器，用于加热所述坩锅支撑件上支撑的所述坩锅；以及半导体晶体接纳网，用于接纳从所述坩锅的开口跌落的所述半导体晶体所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部，用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。
半导体晶体设备产生方法

[发明专利]显示装置和用于修复显示装置的方法-CN202111488948.2在审
发明人：全映宰;李禹根;崔宰凡;金钟仁;李进元 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示装置包括：驱动晶体管的半导体层；开关晶体管的半导体层；初始化晶体管的半导体层；驱动晶体管的栅极电极，与驱动晶体管的半导体层重叠；下存储电极，连接到开关晶体管的半导体层；上存储电极，连接到驱动晶体管的半导体层、光阻挡图案和初始化晶体管的半导体层，并且与下存储电极重叠；第一辅助晶体管的半导体层，与开关晶体管的半导体层和/或初始化晶体管的半导体层相邻；第一辅助晶体管的第一电极，连接到第一辅助晶体管的半导体层；以及第一辅助晶体管的第二电极，连接到第一辅助晶体管的半导体层。
显示装置用于修复方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体器件-CN202111402444.4在审
发明人：金尚昱;南胜杰;文泰欢;李光熙;许镇盛;裵鹤烈;李润姓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包括具有半导体沟道层和金属氧化物半导体沟道层的第一半导体晶体管，并且具有其中第二半导体晶体管堆叠在第一半导体晶体管的顶部上的结构。第二半导体晶体管的栅极堆叠和第一半导体晶体管的栅极堆叠的顶部可以重叠大于或等于90％。第一半导体晶体管和第二半导体晶体管可以具有相似水平的操作特性。
互补金属氧化物半导体器件

[发明专利]光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器-CN200510086955.4无效
发明人：郑婉华;马小涛;任刚;蔡向华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用于光子集成芯片的光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出方法及输出器。该方法包括：1)在半导体芯片上依次放置一二维半导体光子晶体激光器和一二维半导体光子晶体波导；2)利用泵浦源泵浦半导体光子晶体激光器，产生边发射激光；3)所述边发射激光与光子晶体波导耦合，实现二维半导体光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出该耦合输出器包括：二维半导体光子晶体激光器，二维半导体光子晶体波导与所述二维半导体光子晶体激光器依次放置在半导体芯片上，所述二维半导体光子晶体波导的区域与所述二维半导体光子晶体激光器的输出激光场有交叠，
光子晶体激光器波导耦合输出方法

[发明专利]一种超快速度生长晶体的方法及制备的半导体、半导体元件-CN202111672136.3在审
发明人：陈祖信;江龙兴;陈权;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：为解决现有晶体生长工艺成本高、耗时长的问题，实现半导体晶体的快速生长，本发明提供了一种超快速度生长晶体的方法及制备的半导体、半导体元件，所述方法为：取半导体化合物与半导体金属混合，并加热至熔融，以惰性气体为载气，在流动气体环境中生长晶体；所述半导体化合物含有半导体金属的金属元素。本发明采用半导体化合物与半导体金属混合熔融，利用半导体金属液化，辅助超快合成大尺寸高质量块体晶体，合成的晶体是宏观的块体晶体，且晶体尺寸达到厘米级，生长时间短。
一种速度生长晶体方法制备半导体元件

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管-CN200710193994.3有效
发明人：王升平;黄宗义;王文亮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管。该半导体晶体管包括形成于半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，其中，此半导体衬底为第一导电型，且具有第一导电型的栓塞区域；此栓塞区域形成于第二导电型的漏极延伸区域(就高压金属氧化物半导体晶体管而言)或形成于第二导电型的轻掺杂区域(就低压金属氧化物半导体晶体管而言)。本发明原则适用于形成在块状半导体衬底上的金属氧化物半导体晶体管及形成在硅置于绝缘物上构成的金属氧化物半导体晶体管。
金属氧化物半导体晶体管高压

[发明专利]基于级联电路的半导体封装结构-CN201510991622.X有效
发明人：赵树峰 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于级联电路的半导体封装结构，包括：高压耗尽型半导体晶体管；低压增强型半导体晶体管；导电支撑片，高压耗尽型半导体晶体管和所述低压增强型半导体晶体管固定于导电支撑片上；管壳，管壳上设有高压端子、第一低压端子及第二低压端子；级联电路，高压耗尽型半导体晶体管、低压增强型半导体晶体管及管壳间通过级联电路电连接，其中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极直接固定于导电支撑片上并导电支撑片电连接本发明的半导体封装结构中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极通过导电支撑片电连接，可有效减少引入的寄生电感和寄生电阻，提高器件的工作性能。
基于级联电路半导体封装结构

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN200610002411.X有效
发明人：宋均镛;阎江;丹尼·P－C.·舒姆;阿洛艾斯·古特曼 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括半导体主体，其包含具有第一晶向的半导体材料。第一晶体管在具有第一晶向的半导体材料中形成。绝缘层覆盖半导体主体的部分并且半导体层覆盖绝缘层。该半导体层具有第二晶向。第二晶体管在具有第二晶向的半导体层中形成。在优选实施方案中，半导体主体是(100)硅，第一晶体管是NMOS晶体管，半导体层是(110)硅并且第二晶体管是PMOS晶体管。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体纳米晶体及其制备方法-CN201080039453.5有效
发明人：张银珠;洪锡焕;田信爱;章效淑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：半导体纳米晶体及其制备方法，其中所述半导体纳米晶体包括裸半导体纳米晶体和直接结合到所述裸半导体纳米晶体的水分子。
半导体纳米晶体及其制备方法

[发明专利]III族氮化物半导体晶体、III族氮化物半导体器件以及发光器件-CN201010171268.3有效
发明人：中畑成二;中幡英章;上松康二;木山诚;永井阳一;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是
iii 氮化物半导体晶体半导体器件以及发光器件

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN200710185194.7无效
发明人：野田刚史;贺茂尚广;新本秀明 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-11-12 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，形成在基板的第一区域的第一MIS晶体管和形成在与所述第一区域不同的第二区域的第二MIS晶体管分别在所述基板和所述半导体层之间具有栅电极，所述第一MIS晶体管的所述半导体层只由非晶半导体构成，所述第二MIS晶体管的所述半导体层包括多晶半导体，所述第二MIS晶体管的栅电极比所述第一MIS晶体管的栅电极薄。在形成有半导体层为非晶半导体的MIS晶体管和半导体层包括多晶半导体的MIS晶体管的显示装置中，在各MIS晶体管采用底栅结构时，能使由多晶半导体构成的半导体层的结晶性良好。
显示装置制造方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法、Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法以及发光器件-CN200580016035.3有效
发明人：中畑成二;中幡英章;上松康二;木山诚;永井阳一;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是
氮化物半导体晶体及其制造方法半导体器件以及发光器件

[发明专利]散热集成半导体晶体管及其制备方法-CN202010163797.2有效
发明人：刘杰;谷昊周;程知群;刘艳;董志华;严丽平;周涛;刘国华;李世琦 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种散热集成半导体晶体管及其制备方法，该方法包括步骤：在半导体衬底的正面沉积电极层，形成半导体晶体管；对半导体晶体管的表面进行预处理，以增加半导体晶体管表面的形核密度；在半导体晶体管的表面沉积纳米级金刚石层；在纳米级金刚石层的表面沉积微米级金刚石层，形成散热集成半导体晶体管。通过本发明方案，可以有效提升半导体晶体管的散热效率，通过实验表明，相同尺寸下，使用金刚石集成设计的半导体晶体管将拥有更大的功率密度。
散热集成半导体晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201810986580.4在审
发明人：刘埃森;蔡滨祥;林进富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括绝缘体上有半导体基底、高电子迁移率晶体管元件以及金属氧化物半导体场效晶体管元件。绝缘体上有半导体基底，包括：第一半导体层、第二半导体层以及绝缘层。第二半导体层位于第一半导体层上。绝缘层位于第一半导体层与第二半导体层之间。高电子迁移率晶体管元件位于第一半导体层上。金属氧化物半导体场效晶体管元件位于第二半导体层上且与高电子迁移率晶体管元件电连接。高电子迁移率晶体管元件的顶面与第二半导体层的顶面共平面。
半导体元件及其制造方法

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